[发明专利]存储器芯片的失效分析方法有效
| 申请号： | 201910972844.5 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110706732B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 芯片 失效 分析 方法 | ||
1.一种存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，包括：
确定失效点所在的热点区域；
确认存在漏电的字线；
对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；
对所述失效位线进行失效分析。
2.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，还包括：在寻找所述失效位线的过程中，调整所述偏压。
3.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述偏压的范围为-3V～3V。
4.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述偏压小于0。
5.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述异常电压衬度为亮度大于其他位线的电压衬度。
6.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，采用电子扫描透镜观察热点区域内的位线的电压衬度。
7.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，还包括：寻找到失效位线后，对所述失效位线的位置进行保存。
8.根据权利要求7所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，通过电子扫描透镜拍照保存所述失效位线的位置。
9.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，通过纳米探针检测字线的电性参数，从而确认存在漏电的字线。
10.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位线进行失效分析包括：利用聚焦离子束对所述存储器芯片进行切割，形成包括所述失效位线在内的测试样品。
11.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述存储器芯片的各个字线上均形成有接触孔；通过纳米探针对所述存在漏电的字线上的接触孔施加所述偏压。
12.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，通过光发射方法或光致阻变方法中的一种或几种方法确定所述热点区域。
13.根据权利要求1所述的存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述存储器芯片为3D NAND芯片。
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