[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底内具有绝缘栅型场效应管，所述衬底包括相对的第一面和初始第二面；

提供承载基底；

将所述衬底的第一面朝向所述承载基底表面键合；

在键合所述衬底和承载基底之后，减薄所述衬底的初始第二面表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，减薄所述衬底初始第二面表面的方法包括：对所述衬底的初始第二面表面进行第一减薄处理；第一减薄处理之后，对所述衬底的初始第二面表面进行第二减薄处理。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一减薄处理的方法包括：采用第一化学机械抛光工艺对所述衬底初始第二面表面进行减薄；第一化学机械抛光工艺之后，采用第一湿法刻蚀工艺对所述衬底初始第二面表面继续减薄。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺的步骤包括：对所述衬底初始第二面进行非选择性刻蚀；非选择性刻蚀之后，对所述衬底初始第二面进行选择性刻蚀。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二减薄处理的方法包括：采用第二化学机械抛光工艺对所述衬底初始第二面表面进行减薄；第二化学机械抛光工艺之后，采用第二湿法刻蚀工艺对所述衬底初始第二面表面继续减薄。

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一减薄工艺减薄所述衬底后，所述衬底的厚度小于或等于152.4μm。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二减薄工艺减薄所述衬底后，所述衬底的厚度小于或等于101.6μm。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的初始厚度为775μm～780μm。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，减薄所述衬底的初始第二面表面之后，还包括：减薄所述承载基底。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的第一面表面与所述承载基底表面键合的方法包括：对所述衬底的第一面表面和承载基底表面分别进行平坦化处理；平坦化处理之后，对所述衬底的第一面表面和承载基底表面分别进行等离子活化处理；等离子活化处理之后，将所述衬底的第一面表面和承载基底表面贴合在一起，并进行高温处理，将所述衬底第一面表面与承载基底键合。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：基底；位于基底上的器件层，所述绝缘栅型场效应管位于所述器件层内。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底内掺杂有N型离子；所述基底内具有掺杂区，所述掺杂区内掺杂有P型离子。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘栅型场效应管包括：位于衬底第一面内的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构位于所述掺杂区两侧，且所述第一栅极结构和第二栅极结构位于部分所述掺杂区表面；位于所述第一栅极结构一侧掺杂区内的第一发射区，位于所述第二栅极结构一侧掺杂区内的第二发射区，所述第一发射区和第二发射区内掺杂有N型离子，所述第一发射区和第二发射区以所述掺杂区隔离，且所述第一发射区和第二发射区通过第一发射电极电连接，所述第一发射电极位于所述第一发射区和第二发射区表面。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，减薄所述衬底的初始第二面表面之后，在所述衬底第二面内形成第一集电区，所述第一集电区内掺杂有P型离子；在所述第一集电区表面形成第一集电极。