[发明专利]一种含噻吩环的光电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种含噻吩环的光电材料，其特征在于，其结构式如下：

其中，R 1和R 2各自独立地为以下基团中的任意一种：

R 3为异丙基或叔丁基。

2.根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于，其结构式为：

3.根据权利要求1所述的一种含噻吩环的光电材料，其特征在于，其制备方法包括以下步骤：

a、将原材料加入到有机溶剂中，将温度降至-65℃，向有机溶剂中加入正丁基锂正己烷溶液，保温反应1.5-2.2h，获得含中间体的反应体系，备用；

原料Ⅰ的结构式为：

中间体Ⅰ的结构式为：

b、将步骤a中中间体的反应体系加入到四氯化碳中，然后R 1和R 2中加入R1和R 2取代基原料，其中中间体、R 1和R 2取代基原料摩尔比为1:1.15-1.23：1.36-1.42；反应温度为室温到回流，反应时间为12-13h，反应后，反应液冷却至温度为28℃，蒸馏，得到中间产物；

中间产物的结构式为：

c、将步骤b中间产物溶于用氯仿和甲基氰的混合溶剂中，再加入氧化剂，其摩尔比为1：6.5-9.6，该反应混合物在30℃的环境下回流，反应时间为36-44h，反应后，反应液水洗，分离的有机相用无水硫酸钠干燥，脱出溶剂后，得到有机光电材料成品。

光电材料的结构式为：

4.据权利要求3所述的一种含噻吩环的光电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤b中的有机溶剂选用四氢呋喃溶液。

5.根据权利要求3所述的一种含噻吩环的光电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤b中的正丁基锂正己烷溶液选用2mol/L的正丁基锂正己烷溶液。

6.根据权利要求3所述的一种含噻吩环的光电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤c中的反应液水洗时间为8-12h。

7.根据权利要求3所述的一种含噻吩环的光电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤c中的氧化剂选用三氯化铁、高氯酸铁和六氟锑酸硝中的一种。