[发明专利]阵列基板以及显示母板有效
申请号: | 201910974098.3 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN110676269B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 胥真奇 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 李红艳 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 以及 显示 母板 | ||
本申请涉及一种阵列基板以及显示母板。阵列基板设有存储电容电路。阵列基板具有第一区域以及第二区域,第二区域位于阵列基板的边缘,且包围第一区域。存储电容电路包括第一电容电路与第二电容电路,第一电容电路包括多个第一存储电容且位于第一区域,第二电容电路包括多个第二存储电容且位于第二区域,第一存储电容的电容量大于第二存储电容的电容量。本申请可以对位于第二区域的显示亮度较低的各子像素进行补偿,使其亮度与位于第一区域内的各子像素的亮度一致,进而提高显示品质。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板以及显示母板。
背景技术
随着显示技术的发展,出现了各种显示面板,例如有机发光显示面板。在显示面板的生产过程中,其通常是在一个大的显示母板(可切割成多个显示面板的母板)上进行切割后形成的。而显示母板通常是形成在一个大的阵列基板(即在一个大的衬底基板上形成驱动电路后的基板)上。
由于受到生产制程(例如等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)成膜膜质不均)的影响,形成于显示母板边缘区域的显示面板(在靠近显示母板侧边的部分)容易在低灰阶时出现亮度发暗现象,从而影响显示品质。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够提高亮度均匀性的阵列基板以及显示母板。
一种阵列基板,设有存储电容电路,
所述阵列基板具有第一区域以及第二区域,所述第二区域位于所述阵列基板的边缘,且包围所述第一区域;
所述存储电容电路包括第一电容电路与第二电容电路,所述第一电容电路包括多个第一存储电容且位于所述第一区域,所述第二电容电路包括多个第二存储电容且位于所述第二区域,所述第一存储电容的电容量大于所述第二存储电容的电容量。
在其中一个实施例中,
所述第一存储电容包括第一极板、第二极板以及第一绝缘介质,所述第一极板与所述第二极板相对设置,所述第一绝缘介质位于所述第一极板与所述第二极板之间;
所述第二存储电容包括第三极板、第四极板以及第二绝缘介质,所述第三极板与所述第四极板相对设置,所述第二绝缘介质位于所述第三极板与所述第四极板之间;
所述第二绝缘介质的厚度大于所述第一绝缘介质的厚度。
在其中一个实施例中,所述阵列基板包括电容介质层,所述电容介质层的位于所述第一区域内的部分为第一介质部,所述第一介质部包括所述第一绝缘介质,所述电容介质层的第二介质部于所述第二区域内的部分为第二介质部,所述第二介质部包括所述第二绝缘介质,所述第二介质部的厚度大于所述第一介质部的厚度。
在其中一个实施例中,所述第一介质部与所述第二介质部材料相同。
在其中一个实施例中,所述第一介质部与所述第二介质部同步形成。
在其中一个实施例中,所述第二绝缘介质的厚度比所述第一绝缘介质的厚度大10nm-20nm。
在其中一个实施例中,
所述第一存储电容包括第一极板、第二极板以及第一绝缘介质,所述第一极板与所述第二极板相对设置,所述第一绝缘介质位于所述第一极板与所述第二极板之间;
所述第二存储电容包括第三极板、第四极板以及第二绝缘介质,所述第三极板与所述第四极板相对设置,所述第二绝缘介质位于所述第三极板与所述第四极板之间;
所述第二绝缘介质的介电常数小于所述第一绝缘介质的介电常数。
在其中一个实施例中,
所述第一存储电容包括第一极板、第二极板以及第一绝缘介质,所述第一极板与所述第二极板相对设置,所述第一绝缘介质位于所述第一极板与所述第二极板之间;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的