[发明专利]一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在第一衬底(101)的一端制备漏区(104)，在所述第一衬底(101)的另一端制备源区(105)；

利用外延层转印技术在所述第一衬底(101)上制备InGaAs沟道层(108)，使所述InGaAs沟道层(108)覆盖所述漏区(104)并且与所述源区(105)部分交叠；

在所述InGaAs沟道层(108)上生长栅氧化层(109)。

2.如权利要求1所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在第一衬底(101)的一端制备漏区(104)，在所述第一衬底(101)的另一端制备源区(105)之前，包括：

在所述第一衬底(101)上生长垫底氧化层(102)；

在所述垫底氧化层(102)上生长氮化物层(103)。

3.如权利要求2所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在第一衬底(101)的一端制备漏区(104)，在所述第一衬底(101)的另一端制备源区(105)，包括：

刻蚀所述氮化物层(103)和所述垫底氧化层(102)，在所述第一衬底(101)的一端表面形成第一离子注入区域(106)；

在所述第一离子注入区域(106)对所述第一衬底(101)进行离子注入，形成漏区(104)；

刻蚀所述氮化物层(103)和所述垫底氧化层(102)，在所述第一衬底(101)的另一端表面形成第二离子注入区域(107)；

在所述第二离子注入区域(107)对所述第一衬底(101)进行离子注入，形成源区(105)。

4.如权利要求1所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，利用外延层转印技术在所述第一衬底(101)上制备InGaAs沟道层(108)，包括：

在第二衬底(201)上生长InP牺牲层(202)；

在所述InP牺牲层(202)上生长InGaAs沟道层(108)；

将所述InGaAs沟道层(108)与所述InP牺牲层(202)、所述第二衬底(201)进行分离；

将所述InGaAs沟道层(108)放置在所述第一衬底(101)上。

5.如权利要求4所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，将所述InGaAs沟道层(108)与所述InP牺牲层(202)、所述第二衬底(201)进行分离，包括：

刻蚀所述InGaAs沟道层(108)，在所述InGaAs沟道层(108)上形成若干沟槽(203)；

通过若干所述沟槽(203)选择性刻蚀所述InP牺牲层(202)以降低所述InGaAs沟道层(108)与所述InP牺牲层(202)的接触面积；

采用柔性图章粘章(204)将所述InGaAs沟道层(108)粘附起以使所述InGaAs沟道层(108)与所述InP牺牲层(202)、所述第二衬底(201)分离。

6.如权利要求5所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，将所述InGaAs沟道层(108)放置在所述第一衬底(101)上，包括：

将粘附在所述柔性图章粘章(204)上的所述InGaAs沟道层(108)转移放置在所述第一衬底(101)上；

键合所述InGaAs沟道层(108)和所述第一衬底(101)；

去除所述柔性图章粘章(204)。

7.如权利要求1所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述InGaAs沟道层(108)的厚度为5～20nm。

8.如权利要求1所述的基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层(109)的厚度为1～5nm。