[发明专利]一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料及其制备有效
申请号: | 201910974580.7 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN110767796B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 范宇驰;陆晓芳;王连军;张琪昊;顾士甲;刘永平;江莞 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01L35/22 | 分类号: | H01L35/22;H01L35/16;H01L35/34 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 黄志达;魏峯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 过渡 金属 碳化物 碲化铋 衍生物 热电 复合材料 及其 制备 | ||
本发明涉及一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料及其制备。该复合材料包括:硅烷偶联剂改性的碲化铋或其衍生物基热电材料和MXene。该制备方法包括:将碲化铋或其衍生物基热电材料用硅烷偶联剂改性,然后与MXene异相沉积,烧结。该复合材料具有较低的热导率和较高的电导率。该方法成本低、简单易行、适用范围广、易于工业化批量生产等特点。
技术领域
本发明属于碲化铋基或其衍生物复合热电材料及其制备领域,特别涉及一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料及其制备方法。
背景技术
碲化铋基及其衍生物热电材料自20世纪50年代以来备受关注,被认为是低-中温范围高性能热电材料的基准。由Sb2Te3,Bi2Te3和Bi2Se3为代表的碲化铋基材料优异的热电(TE)性能主要归因于其高功率因子(PF)以及由范德华力形成层间弱结合导致的低热导率(κ)。研究表明通过等电子外部掺杂优化热电性能,制备得到的三元化合物(如n型Bi2Te3-xSex和p型Bi2-xSbxTe3),其TE性能得到了极大的提升,最大ZT约为1,这也是目前最好的商业TE材料,主要应用于室温附近的冷藏。然而,此较低的转化效率无法应用于室温附近的废热回收。因此,在整个温度范围中进一步提高碲化铋基热电材料的ZT(或平均ZT)尤为重要。
为了获得更高的TE性能,目前主要有如下策略,包括外在掺杂,本征缺陷工程,纳米结构和织构化。然而,因为难以综合调节电荷和声子传输,所以在宽温度范围内实现总体ZT的提升极具挑战性。尽管通过这些方法在一些碲化铋基热电化合物中报道过高ZT值,但很少有高效热电器件的报道,特别是用于发电。目前商用的TE发电模块仅运行效率约为4%,远低于预期。
相比之下,纳米级第二相的复合可以提供丰富的异质界面和晶界,可以极大地改善复合材料中的电荷和声子传输行为,从而在宽温度范围内优化ZT。例如,在Bi2Te3中引入一维纳米粒子会导致热导率急剧降低的同时增加PF。在此基础上,二维(2D)纳米材料如石墨烯的复合应该表现出相当显著的效果,因其独特的特性,如高表面积和晶界样形态。然而,石墨烯复合碲化铋基热电材料优化热电性能显少有成功的例子,这是因为加入石墨烯是氧化石墨烯还原得到,其电导率较低且结构也受到一定程度的破坏,不足以进一步提高碲化铋基热电材料的电导率。此外,由于二维材料表面积高,传统的复合方法,如区域熔化原位复合或球磨复合都难以实现其在基体中的均匀分散。[Huaichao Tang,et al.NanoEnergy 49(2018)267-273][Raghavendra Nunna,et al.Energy Environ.Sci.,2017,10,1928-1935][Peng-an Zong,et al.Energy Environ.Sci.,2017,10,183-191]而在复合材料中不能防止第二相的严重团聚,则引入的第二相会使TE性能和机械性能反向劣化。同样作为二维材料的MXene,具有超高亲水性和金属传输性能,导电率非常高达4600S/cm。但目前尚未见有关MXene热电复合材料。通过合理设计MXene复合组分和复合材料的制备工艺,有希望制备出高性能MXene/碲化铋基热电复合材料,对热电材料的发展和应用具有重要意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料及其制备方法,以克服现有技术中碲化铋基热电复合材料分散不均匀,电导率低同时热导率高等缺陷。
本发明提供一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料,所述复合材料包括质量比为1:0.002-0.1的硅烷偶联剂改性的碲化铋或其衍生物基热电材料和MXene。
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