[发明专利]杂化等离激元手性增强装置及系统有效
| 申请号： | 201910974850.4 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110687623B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王勇凯;董军;王忠玉;王琦璟;王倩颖 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G01J3/28 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离激元 手性 增强 装置 系统 | ||
1.一种杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述杂化等离激元手性增强装置包括：金属纳米结构层、金属基底、介质层和石墨烯层；
所述金属纳米结构层包括多个“h”形金属纳米结构，所述金属纳米结构层设置在所述金属基底上，所述金属基底与所述金属纳米结构层之间填充有所述介质层，所述金属纳米结构层靠近所述介质层的位置或者远离所述介质层的位置中至少一个位置设置有所述石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述金属纳米结构层和金属基底的材料包括：银、金和钼中任意一种金属。
3.根据权利要求1所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述金属纳米结构层中的所述“h”形金属纳米结构的高度为160nm-240nm。
4.根据权利要求1所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述“h”形金属纳米结构包括：第一纳米棒、第二纳米棒和第三纳米棒，所述第一纳米棒与所述第二纳米棒垂直，所述第三纳米棒与所述第一纳米棒垂直。
5.根据权利要求4所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述第一纳米棒的长度为30nm-50nm。
6.根据权利要求4所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述第二纳米棒的长度为30nm-50nm。
7.根据权利要求4所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述第三纳米棒的长度为160nm-240nm。
8.根据权利要求1所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述介质层的材料包括：二氧化硅和二氧化锗中任意一种。
9.根据权利要求1所述的杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述介质层的厚度为0.1nm-5nm。
10.一种杂化等离激元手性增强系统，其特征在于，所述杂化等离激元手性增强系统包括：光谱仪和权利要求1-9任意一项所述的杂化等离激元手性增强装置，所述光谱仪与所述杂化等离激元手性增强装置连接，所述光谱仪用于对所述杂化等离激元手性增强装置上共振光进行检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安邮电大学，未经西安邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910974850.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
