[发明专利]一种提高发光二极管发光效率的方法有效
申请号: | 201910975239.3 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN112736176B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 马来鹏;任文才;杜金红;张鼎冬;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/42 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 发光二极管 发光 效率 方法 | ||
1.一种提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,在透明电极与发光层之间引入增透型掺杂剂薄膜,通过增透型掺杂剂薄膜同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率,从而提升发光二极管的发光效率:在透明电极的表面形成增透型掺杂剂薄膜,利用薄膜的光学增透效应促进波导模式耦合进入透明电极,从而提高发光二极管的出光率;同时利用薄膜的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数,从而提高电极的电荷注入效率;
增透型掺杂剂在透明电极表面形成连续薄膜,其厚度范围为1~1000纳米;增透型掺杂剂薄膜的折射率低于透明电极和透明基底的折射率,而且具有高的透光率,透光率范围为80~100%;其中,透明基底和增透型掺杂剂薄膜分别位于透明电极的两侧;
增透型掺杂剂的掺杂原理为表面电荷转移,即将掺杂剂与透明电极的表面接触后,两者之间产生电荷转移,从而对透明电极材料进行掺杂;掺杂类型为p型或n型。
2.按照权利要求1所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,掺杂剂为无机物、有机物或者两者的组合。
3.按照权利要求2所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,掺杂剂包括酸、氧化物、氯化物、碱金属的有机物、高分子聚合物之一种或两种以上。
4.按照权利要求1所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,在透明电极表面形成增透型掺杂剂薄膜的方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶液浸泡、提拉、旋涂、喷涂、刮涂、线棒涂布、印刷、辊压涂覆之一或两种以上的组合。
5.按照权利要求1所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,透明电极材料为无机物或有机物。
6.按照权利要求5所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,透明电极材料包括石墨烯、碳纳米管或者导电聚合物。
7.按照权利要求1所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,透明电极采用转移、沉积或涂覆的方法形成于透明基底表面,透明基底材料为刚性或柔性。
8.按照权利要求7所述的提高发光二极管发光效率的方法,其特征在于,透明基底材料包括玻璃、石英或者柔性透明有机物。
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