[发明专利]一种外延层转移方法有效
| 申请号： | 201910975301.9 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110838435B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 陈王华;安钧洋;张晓伟;车锦铭 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 邢丽艳;洪珊珊 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 转移 方法 | ||
1.一种外延层转移方法，其特征在于，所述外延层转移方法包括如下步骤：
S1、在母衬底表面形成多孔界面层；
S2、在多孔界面层上生长外延层；
S3、将外延层通过粘结技术粘合到支撑衬底上进行外延层的转移，然后将外延层与母衬底分离；
所述多孔界面层为具有多孔结构的SiGe合金层；
所述SiGe合金层的厚度为13nm-28nm，所述SiGe合金层中Ge的含量为Si的0.2at.％-2.0at.％；
所述SiGe合金层和外延层均通过PECVD的方法形成，所述SiGe合金层通过在制备过程中加入GeH4获得；
所述SiGe合金层的形成条件为：温度180℃-230℃，总压力为1.7Torr -2.3Torr，功率密度为30mW/cm2-40mW/cm2，SiH4流速为3.6SCCM-4.5SCCM，H2流速为180SCCM-220SCCM，GeH4与H2的混合气体流速0.6SCCM -1.3SCCM，生长时间为100s-150s，所述GeH4与H2的混合气体中，GeH4在H2中的浓度为0.7 at.％-1.3at.％。
2.根据权利要求1所述的一种外延层转移方法，其特征在于，所述外延层包括Si外延层、SiGe外延层或Ge外延层。
3.根据权利要求1所述的一种外延层转移方法，其特征在于，步骤S3所述支撑衬底包括玻璃衬底、聚合物衬底，所述粘结技术包括阳极键合、聚合物粘结剂粘结，所述将外延层与母衬底的分离通过退火或机械力来实现。
4.根据权利要求3所述的一种外延层转移方法，其特征在于，步骤S3中，当所述支撑衬底为玻璃时，所述阳极键合为于180℃-220℃温度、800V-1200V电压条件下与玻璃结合8min-13min，然后在170℃-220℃温度下退火4min-6min将外延层与母衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
