[发明专利]一种临时键合结构及临时键合方法

权利要求书

1.一种临时键合结构，其特征在于，包括：第一载体片及紧密结合于所述第一载体片正面上的第一键合层，待键合硅片及紧密结合于所述待键合硅片正面上的第二键合层，所述第一载体片的表面上分布有多个穿孔；其中，所述第一载体片及所述第二键合层的材质均与所述第一键合层的材质不同，且其之间具有湿法药液清洗时的高选择比，所述第一键合层及所述第二键合层通过退火工艺形成硅-硅临时键合，且所述退火工艺的温度大于300℃。

2.根据权利要求1所述的临时键合结构，其特征在于，所述第一载体片的材质为Si，所述第一键合层的材质为SiO₂、SiN或SiC。

3.根据权利要求1所述的临时键合结构，其特征在于，所述第一载体片的材质为SiO₂，所述第一键合层的材质为多晶硅、SiN或SiC。

4.根据权利要求1所述的临时键合结构，其特征在于，所述穿孔在所述第一载体片的表面上均匀分布。

5.根据权利要求1所述的临时键合结构，其特征在于，所述穿孔的直径最小临界值满足公式：

d＝4γsinθpgh

其中，d代表穿孔的直径，γ代表湿法药液表面张力，θ代表湿法药液与第一载体片接触角；p代表湿法药液密度；h代表第一载体片厚度；g代表重力加速度。

6.一种临时键合方法，采用权利要求1-5任一所述的临时键合结构，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：提供一待键合硅片，在所述待键合硅片表面上形成一层第二键合层；

步骤二：将所述待键合硅片的所述第二键合层与所述临时键合结构的所述第一键合层相贴合，进行硅-硅临时键合；

步骤三：进行临时键合后退火；

步骤六：将所述第一载体片的背面朝上，对所述第一载体片的背面进行湿法药液清洗，利用所述第一载体片与所述第一键合层之间具有的湿法药液清洗时的高选择比，使湿法药液进入所述穿孔与所述第一键合层反应，以去除所述第一键合层，使所述临时键合结构与所述待键合硅片相分离；

步骤七：移除所述第一载体片，完成去键合。

7.根据权利要求6所述的临时键合方法，其特征在于，还包括：

步骤四：对所述待键合硅片进行所需的背部工艺。

8.根据权利要求7所述的临时键合方法，其特征在于，还包括：

步骤五：完成所需的背部工艺后，对所述待键合硅片的背面进行固定。

9.根据权利要求8所述的临时键合方法，其特征在于，所述背部工艺包括背面减薄、CMP、湿法刻蚀、干法刻蚀、薄膜淀积和平坦化中的至少其中之一；所述固定包括将所述待键合硅片的背面与第二载体片相临时键合。