[发明专利]一种纳米晶氧化硅薄膜及其制备的类光刻胶氧化硅材料有效
| 申请号： | 201910977268.3 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110777366B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈王华;郑珍;张晓伟 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/40;C23C16/56;C23C16/52;H01L21/027 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊;王玲华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化 薄膜 及其 制备 光刻 材料 | ||
1.一种纳米晶氧化硅薄膜，其特征在于，所述纳米晶氧化硅薄膜为在氢化非晶氧化硅基质中嵌入硅纳米晶形成的双层薄膜，该双层薄膜为L1层和L2层，所述L1层和L2层的折射率不同；所述双层薄膜中L1层的折射率在600nm处为1.5-4，L2层的折射率在600nm处为1.2-2.5；所述双层薄膜中L1层的厚度为20-60nm，L2层的厚度为30-100nm；所述L1层中硅纳米晶的体积分数大于L2层中硅纳米晶的体积分数。
2.一种类光刻胶氧化硅材料，其特征在于，包括衬底和权利要求1中所述的纳米晶氧化硅薄膜。
3.一种如权利要求2所述的类光刻胶氧化硅材料的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
准备衬底；
在所述衬底上沉积包括L1层和L2层的双层纳米晶氧化硅薄膜；
根据所需图形进行掩模对准，然后进行激光曝光，得到类光刻胶氧化硅材料。
4.根据权利要求3所述的类光刻胶氧化硅材料的制造方法，其特征在于，所述沉积的方法为射频等离子体增强化学气相沉积；所述L1层的沉积条件为：温度：100-200℃，压力：2.0Torr，功率密度：90-160mW/cm2，SiH4：10-12 SCCM，H2：200-250 SCCM，CO2 ：5 SCCM。
5.根据权利要求3或4所述的类光刻胶氧化硅材料的制造方法，其特征在于，所述L2层的沉积条件为：温度：100-200℃，压力：2.0Torr，功率密度：100-180mW/cm2，SiH4：10-12SCCM，H2：150-220 SCCM，CO2 ：15 SCCM。
6.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求2中所述的类光刻胶氧化硅材料通过离子注入、高温扩散或金属化中的一步或多步，再利用氟化物去除未曝光区域的多层纳米晶氧化硅薄膜制得。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述氟化物为氢氟酸或四氟化硅等离子体。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
