[发明专利]图案形成方法

说明书

本发明可提供一种使用化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系显影液的图案形成方法，尤其在使用有机系显影液来形成微细化(例如30nm节点以下)图案的负型图案形成方法中，可减少微粒的产生。一种使用化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系显影液的图案形成方法，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系显影液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下。

本申请为2013年10月17日递交的申请号为201380056879.5，发明名称为化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液与其收容容器及用途。更详细而言，本发明涉及一种适合于集成电路(Integrated Circuit，IC)等的半导体制造工序、液晶及热能头(thermal head)等电路基板的制造、进而其他感光蚀刻加工(photofabrication)的微影(lithography)工序的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件。本发明尤其涉及一种适于以波长为300nm以下的远紫外线光作为光源的ArF曝光装置及ArF液浸式投影曝光装置的曝光的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件。

背景技术

从前，作为使用碱性显影液的正型图案形成方法及其中所用的正型抗蚀剂组合物，已提出了各种构成(例如参照专利文献1～专利文献3)。除此以外，近年来，以正型抗蚀剂组合物无法达成的微细接触孔(contact hole)或沟槽(trench)图案形成作为主要用途，正在不断地开发使用有机系显影液的负型图案形成方法及其中所用的负型抗蚀剂组合物(例如参照专利文献4～专利文献7)。

上述负型图案形成方法中使用的有机系显影液是以与一直以来在电子工业中使用的有机溶剂(稀释剂(thinner)或剥离液)同样的供给形态而提供。

此处，对于电子工业用化学溶液的供给容器而言，要求在保存及运输过程中不会因杂质微粒子的增加、成分的变质、组成的量变、杂质金属元素的增加、或光引起的感光成分的变质而导致品质降低。

作为满足这些要求的容器，例如已知有聚四氟乙烯制或聚烯烃系高纯度树脂性容器(参照专利文献8及专利文献9)，就成本的观点而言，广泛使用聚烯烃系高纯度树脂性容器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-257078号公报

专利文献2：日本专利特开2005-266766号公报

专利文献3：日本专利特开2006-330098号公报

专利文献4：日本专利特开2007-325915号公报

专利文献5：国际公开2008-153110号手册

专利文献6：日本专利特开2010-039146号公报

专利文献7：日本专利特开2010-164958号公报

专利文献8：日本专利特公平6-99000号公报

专利文献9：日本专利第3929000号公报

发明内容

发明要解决的课题