[发明专利]显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201910978142.8 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN110690231A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 冯雪欢;李永谦 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 尹璐 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图案化 金属层 半导体层 背板 第一表面 间隔设置 缓冲层 掩膜版 基板 显示面板 显示装置 制作工艺 产业化 遮光层 源层 覆盖 制作 | ||
本发明提供了显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置。该显示背板包括:基板;图案化的金属层,设置在基板的部分第一表面上,包括间隔设置的遮光层和子金属层;缓冲层,设置在第一表面上,并覆盖图案化的金属层;图案化的半导体层,设置在缓冲层远离图案化的金属层的部分表面上,包括间隔设置的有源层和子半导体层,其中,图案化的金属层和图案化的半导体层的形状相同。该显示背板中由于图案化的金属层和图案化的半导体层的形状相同,因此在形成该显示背板的图案化的金属层和图案化的半导体层时,可以使用同一个掩膜版,相较于相关技术中的显示背板的制作工艺,减少了一个掩膜版,从而可以显著降低生产成本,适于大规模产业化。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
目前,显示背板的制作工艺比较复杂。
因而,现有的显示背板的相关技术仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种在形成图案化的金属层和图案化的半导体层时可以使用同一个掩膜版、可以显著降低生产成本、或者适于大规模产业化的显示背板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种显示背板。根据本发明的实施例,该显示背板包括:基板;图案化的金属层,所述图案化的金属层设置在所述基板的部分第一表面上,所述图案化的金属层包括间隔设置的遮光层和子金属层;缓冲层,所述缓冲层设置在所述第一表面上,并覆盖所述图案化的金属层;图案化的半导体层,所述图案化的半导体层设置在所述缓冲层远离所述图案化的金属层的部分表面上,所述图案化的半导体层包括间隔设置的有源层和子半导体层,其中,所述图案化的金属层和所述图案化的半导体层的形状相同。由于图案化的金属层和图案化的半导体层的形状相同,因此在形成该显示背板的图案化的金属层和图案化的半导体层时,可以使用同一个掩膜版,相较于相关技术中的显示背板的制作工艺,减少了一个掩膜版,从而可以显著降低生产成本,适于大规模产业化。
根据本发明的实施例,所述图案化的金属层在所述基板上的正投影和所述图案化的半导体层在所述基板上的正投影重叠。
根据本发明的实施例,所述有源层和所述遮光层在所述基板上的正投影重叠,所述子半导体层和所述子金属层在所述基板上的正投影重叠。
根据本发明的实施例,所述缓冲层包括第一过孔和第二过孔,所述遮光层和所述有源层通过所述第一过孔相连接,所述子金属层和所述子半导体层通过所述第二过孔相连接。
根据本发明的实施例,还包括栅绝缘层和栅极,所述栅绝缘层设置在所述有源层远离所述基板的部分表面上,所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述有源层的表面上,所述栅绝缘层和所述栅极在所述基板上的正投影重叠。
根据本发明的实施例,该显示背板还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述缓冲层、所述图案化的半导体层和栅极远离所述基板的表面上,所述层间绝缘层具有第三过孔,所述第三过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述子半导体层和源极或漏极通过所述第三过孔相连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910978142.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的