[发明专利]检测装置

权利要求书

1.一种检测装置，其特征在于，包括：电致检测设备，所述电致检测设备包括：基板以及阵列设置在所述基板上的多个供电头，所述基板内设置有多个控制晶体管，每一所述控制晶体管与一个所述供电头电连接，所述供电头用于与待测的发光二极管的电极接触，以在所述控制晶体管的控制下驱动所述发光二极管发光；

所述供电头包括柔性载台，所述柔性载台背离所述基板的一侧设置有凹槽，所述凹槽的相对两个侧壁上均设有凸起。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述电致检测设备还包括图像采集装置，所述图像采集装置用于获取与所述供电头接触的所述待测的发光二极管的图像。

3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，其中一个所述凸起背离所述基板的一侧设置有第一触点，另一所述凸起背离所述基板的一侧设置有第二触点；所述凹槽中与所述凸起相邻的壁与所述凸起之间具有间隙，所述第一触点用于与所述待测的发光二极管的一个电极接触，所述第二触点用于与所述待测的发光二极管的另一电极接触，所述第一触点和所述第二触点之间具有间隙。

4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括光致检测设备，所述光致检测设备包括：光源、透镜组件以及光检测设备，所述光源发出的光线照射在所述待测的发光二极管上；所述透镜组件设置在所述待测的发光二极管和所述光检测设备之间，所述透镜组件用于将所述待测的发光二极管上经所述光源照射后产生的荧光汇聚到所述光检测设备，所述光检测设备用于检测所述荧光的光谱信息。

5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述光检测设备包括光谱仪、图像传感器和积分球。

6.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述光致检测设备还包括反光镜，所述反光镜设置在所述透镜组件和所述光检测设备之间，用于将来自所述透镜组件的光线反射向所述光检测设备。

7.根据权利要求4-6任一项所述的检测装置，其特征在于，所述透镜组件包括至少一个凸透镜。

8.根据权利要求4-6任一项所述的检测装置，其特征在于，所述光源为多个，且多个所述光源为阵列设置。

9.根据权利要求4-6任一项所述的检测装置，其特征在于，还包括光功率计，所述光功率计用于检测所述光源的光源光功率、第一温度下所述待测的发光二极管发出的荧光的第一激发光功率、所述第一温度下透过所述待测的发光二极管的第一透射光功率、第二温度下所述待测的发光二极管发出的荧光的第二激发光功率以及所述第二温度下透过所述待测的发光二极管的第二透射光功率。

10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述光功率计用于获取内量子效率。

11.根据权利要求1-6任一项所述的检测装置，其特征在于，所述基板为硅基背板，所述控制晶体管为MOS晶体管。

12.根据权利要求7所述的检测装置，其特征在于，所述基板为硅基背板，所述控制晶体管为MOS晶体管。

13.根据权利要求8所述的检测装置，其特征在于，所述基板为硅基背板，所述控制晶体管为MOS晶体管。

14.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述基板为硅基背板，所述控制晶体管为MOS晶体管。

15.根据权利要求10所述的检测装置，其特征在于，所述基板为硅基背板，所述控制晶体管为MOS晶体管。