[发明专利]一种氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极

权利要求书

1.一种氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，采用导电玻璃作为背电极，其上依次沉积氮掺杂氧化亚铜层、本征P型氧化亚铜吸光层、N型层、二氧化钛保护层和助催化剂层。

2.根据权利要求1所述的氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，所述的导电玻璃包括：FTO、ITO、AZO、GZO。

3.根据权利要求1所述的氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，所述的氮掺杂氧化亚铜层厚度为10-100nm, 其电阻率在5Ω·cm以下，其载流子浓度在1×10¹⁹/cm³以上。

4.根据权利要求1所述的氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，所述的本征P型氧化亚铜吸光层，无杂质原子掺杂，厚度为100-2000nm，载流子浓度在1×10¹³/cm³-1×10¹⁷/cm³。

5.根据权利要求1所述的氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，所述的N型层为常见N型半导体材料，包括：铝掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、氧化锌、硫化锌、铬掺杂硫化锌、氧化稼、铝掺杂氧化稼、氧化锡，其厚度为5-20nm。

6.根据权利要求1所述的氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，所述的二氧化钛保护层，其厚度为10-200nm。

7.根据权利要求1所述的氮掺杂背表面电场增强的氧化亚铜基光阴极，其特征在于，所述的助催化剂层为析氢催化剂，包括：铂、氧化钌、二硫化钼、镍钼合金，其厚度为1-200nm。