[发明专利]SiC基板、SiC外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910978671.8 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111063730B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 西原祯孝;龟井宏二 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/02;H01L21/67;C30B29/36;C30B25/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 基板 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种SiC基板，具备第1主面、配置于该第1主面的相反侧的第2主面以及连结于所述第1主面和所述第2主面的外周，
存在于所述SiC基板的周端部的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为0.01个/cm2以上且10个/cm2以下。
2.一种SiC外延晶片，
在权利要求1所述的SiC基板上具备SiC外延层。
3.一种SiC外延晶片的制造方法，
包括在权利要求1所述的SiC基板上形成SiC外延层的工序。
4.一种SiC外延晶片的制造方法，包括分选在SiC外延晶片中使用的SiC基板的基板分选工序，所述SiC基板具备第1主面、配置于该第1主面的相反侧的第2主面以及连结于所述第1主面和所述第2主面的外周，
在所述基板分选工序中，检查存在于SiC基板的周端部的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度，分选所述密度为预定密度以下的SiC基板。
5.一种SiC外延晶片的制造方法，包括：
为了得到预定尺寸的SiC基板而准备比所述预定尺寸大的尺寸的SiC晶片的工序；以及
基板准备工序，准备在SiC外延晶片中使用的SiC基板，该SiC基板具备第1主面、配置于该第1主面的相反侧的第2主面以及连结于所述第1主面和所述第2主面的外周，
在所述基板准备工序中，将所述SiC晶片中的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为预定密度以上的外环部残留，将中央部挖出而得到SiC基板。
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