[发明专利]一种用于通信模块产品的EMI屏蔽工艺和通信模块产品在审
申请号: | 201910978710.4 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN110729176A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 李林萍;盛荆浩;江舟 | 申请(专利权)人: | 杭州见闻录科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/48;H01L23/552 |
代理公司: | 35235 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 310019 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通信模块 元器件 基板 绝缘层 金属屏蔽层 表面安装 申请 表面形成绝缘层 工艺控制 接地焊盘 低成本 分段式 溅射 喷涂 屏蔽 覆盖 切开 施加 暴露 生产 | ||
本申请公开了一种用于通信模块产品的EMI屏蔽工艺,通信模块产品包括表面安装有元器件的基板,工艺包括以下步骤:a、在基板和元器件的表面形成绝缘层;b、将绝缘层切开以暴露出基板上的接地焊盘;以及c、在基板和元器件的外层溅射或喷涂形成第一金属屏蔽层。本申请还公开了一种通信模块产品,其上施加上述EMI屏蔽工艺。本申请还公开了一种通信模块产品,包括表面安装有元器件的基板,通信模块产品的表面及元器件之间覆盖了一层绝缘层,并且通信模块产品中的部分元器件的顶部和周边形成有覆盖于绝缘层上的第一金属屏蔽层。本申请极大的方便了产品的工艺控制和综合设计,能够以低成本的工艺方法实现分段式屏蔽,便于大批量生产。
技术领域
本申请涉及通信器件领域,主要涉及一种用于通信模块产品的EMI屏蔽工艺和通信模块产品。
背景技术
现有的EMI屏蔽技术主要是用于手机等蜂窝终端,随着频段的复杂、载波聚合需要邻近频段的同时使用,终端内部空间更小、集成度越来越高,模块之间的干扰成为一个难题,要保证通信效果和整机功耗,对模块之间的EMI屏蔽的要求越来越高,尤其是低频频段的屏蔽。随着通信技术的不断扩展,各类终端也必须广泛的应用高标准的EMI屏蔽工艺来保证通信模块的性能,包括各类智能终端,无人机,无人驾驶,汽车通信模块,IOT等等。
滤波器在SIP模块中是最重要的元件,一般占有SIP模块芯片数量的80%,但是滤波器的封装需要WLP制程先完成空腔结构,才能进行SIP模块的组装。因滤波器的封装结构必须要空腔形式,故WLP的成本非常高。
现有的EMI屏蔽技术主要包括共形EMI屏蔽结构、分段式EMI屏蔽结构。共形EMI屏蔽结构通过溅射或喷涂的方式施加金属屏蔽层,但是这种方式无法做到分段式屏蔽。而分段式EMI屏蔽结构往往针对每个芯片器件做出独立的屏蔽区域,具体需要通过挖槽以及填充或涂胶等方式来在器件之间形成分段式屏蔽结构。但是这种分段式工艺的制造成本高,工艺管控困难。另外,现有技术的屏蔽结构均未对芯片底部形成EMI屏蔽,并且具有较高的成本,不利于大批量生产。而且在最终EMI金属层加工时,产品边缘会产生金属毛刺,不利于下一级客户端的组装工艺,也是目前行业中存在问题最多的难点。
发明内容
针对以上EMI屏蔽技术存在的问题,本发明提出了一种用于通信模块产品的EMI屏蔽工艺。
根据本发明的第一方面,提出了一种用于通信模块产品的EMI屏蔽工艺,通信模块产品包括表面安装有元器件的基板,该工艺包括以下步骤:a)在基板和元器件的表面形成绝缘层;b)将绝缘层切开以暴露出基板上的接地焊盘;以及c)在基板和元器件的外层溅射或喷涂形成第一金属屏蔽层。该工艺可对通信模块产品更好的屏蔽,且工艺简单,实施成本低,易于大规模量产。
优选的,步骤a)具体包括利用热固性树脂薄膜覆盖基板以及元器件的表面。热固性树脂薄膜可以很好地形成表面覆盖层,并且具有很好的绝缘性能,从而可以保证元器件之间的绝缘性。
优选的,覆盖在基板和元器件的表面上的绝缘层是一次性形成的。一次性形成的绝缘层可以使绝缘层的厚度均匀,使各元器件具有良好且相当的绝缘性。
优选的,热固性树脂薄膜的厚度在30-50um之间。该厚度范围的热固性树脂薄膜可以在不影响绝缘性能的同时保证厚度且易于加工。
优选的,步骤a)具体包括使用喷涂、PVD或CVD的方法形成绝缘层。多种可选的绝缘层设置方式,便于根据实际应用场景选择合适的设置方式,优化工艺使其更加简单。
进一步优选的,绝缘层的厚度在0.1-5um之间。凭借该厚度绝缘层的设置,可以进一步提升元器件的绝缘性。
优选的,步骤a)具体包括利用激光切割的方式将接地焊盘上的绝缘层切开。利用激光切割可以精准的将接地焊盘上的绝缘层切开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造