[发明专利]发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法

权利要求书

1.一种发光器件的有机缓冲封装层的制作方法，其特征在于，所述有机缓冲封装层包括第一缓冲层及覆盖第一缓冲层的第二缓冲层，所述有机缓冲封装层制作方法包括以下步骤：

通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第一阶段形成所述第一缓冲层；

通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第二阶段在所述第一缓冲层上形成所述第二缓冲层，所述第一阶段和所述第二阶段为连续的阶段；

在所述第一阶段，射频功率从9.0kW/m²～9.4kW/m²逐渐减小至7.0kW/m²～7.4kW/m²，在所述第二阶段，射频功率为4.7kW/m²～6.2kW/m²；或者

在所述第一阶段，射频频率从3.0MHz～3.56MHz逐渐增大至11.0MHz～12.0MHz，在所述第二阶段，射频频率为13.0MHz～13.56MHz；或者

在所述第一阶段，射频占空比从90％～100％逐渐减小至40％～50％，在所述第二阶段，射频占空比为30％～40％。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阶段，射频功率的变化为阶梯式渐变。

3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，还包括：

通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第三阶段在所述第二缓冲层上形成第三缓冲层；

在所述第一阶段，射频功率逐渐减小，在所述第三阶段，射频功率逐渐增大，在所述第二阶段，射频功率不高于所述第一阶段的最小射频功率及所述第三阶段的最小射频功率；或者

在所述第一阶段，射频频率逐渐增大，在所述第三阶段，射频频率逐渐减小，在所述第二阶段，射频频率不低于所述第一阶段的最大射频频率及所述第三阶段的最大射频频率；或者

在所述第一阶段，射频占空比逐渐减小，在所述第三阶段，射频占空比逐渐增大，在所述第二阶段，射频占空比不高于所述第一阶段的最小射频占空比及所述第三阶段的最小射频占空比。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，

在所述第三阶段，射频功率从7.0kW/m²～7.4kW/m²逐渐增大至9.0kW/m²～9.4kW/m²；或者

在所述第三阶段，射频频率从11.0MHz～12.0MHz逐渐减小至3.0MHz～3.56MHz；或者

在所述第三阶段，射频占空比从40％～50％逐渐增大至90％～100％。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阶段，射频频率或射频占空比的变化为阶梯式渐变。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有机缓冲封装层的材料选自碳氧化硅、聚对二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚酰亚胺中的一种或多种。

7.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为0.1μm～1μm，所述第二缓冲层的厚度为1μm～5μm，所述第三缓冲层的厚度为0.1μm～1μm。

8.一种发光器件，其特征在于，包括：

发光器件主体，所述发光器件主体包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层，所述第一电极层设置在所述基板上，所述发光功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述发光功能层上；

封装层，所述封装层设置于所述第二电极层上，所述封装层包括有机缓冲封装层，所述有机缓冲封装层采用如权利要求1～7任一项所述的发光器件的有机缓冲封装层的制作方法制得。

9.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述封装层还包括第一无机封装层和第二无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述第二电极层上，所述有机缓冲封装层设置在所述第一无机封装层上，所述第二无机封装层设置在所述有机缓冲封装层上。

10.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的材料选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝和二氧化钛中的一种或多种。