[发明专利]太阳能电池以及制造用于太阳能电池的膜层结构的方法

权利要求书

1.一种包括膜层结构(2)的太阳能电池(1)，

所述膜层结构(2)包括：

硅基体(10)，包括与所述太阳能电池(1)的正表面邻近的第一表面、和与所述太阳能电池(1)的背电场(80)邻近的第二表面；

第一氧化铝层(20)，与所述硅基体(10)邻接，并且设置在所述硅基体(10)的所述第二表面；

第一氮化硅层(40)，设置在所述第一氧化铝层(20)的与所述背电场(80)邻近的一侧；以及

第一二氧化硅层(30)，设置在所述第一氧化铝层(20)和所述第一氮化硅层(40)之间、或者设置在所述第一氮化硅层(40)的与所述背电场(80)邻近的一侧。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池(1)，

其中所述第一二氧化硅层(30)的膜层厚度为13nm-39nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池(1)，

其中所述第一二氧化硅层(30)的折射率为1.41-1.56。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池(1)，

其中所述膜层结构(2)还包括：

第二氧化铝层(120)，与所述硅基体(10)邻接，并且设置在所述硅基体(10)的所述第一表面；

第二氮化硅层(140)，设置在所述第二氧化铝层(120)的与所述正表面邻近的一侧；以及

第二二氧化硅层(130)，设置在所述第二氧化铝层(120)和第二氮化硅层(140)之间、或者设置在所述第二氮化硅层(140)的与所述正表面邻近的一侧。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池(1)，

其中所述第二二氧化硅层(130)的膜层厚度为13nm-39nm。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池(1)，

其中所述第二二氧化硅层(130)的折射率为1.41-1.56。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池(1)，还包括：

另一二氧化硅层(50)，与所述硅基体(10)邻接，并且设置在所述硅基体(10)的所述第一表面；

另一氮化硅层(60)，设置在所述另一二氧化硅层(50)的邻近所述正表面的一侧。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池(1)，还包括：

正电极(70)，从所述硅基体(10)朝向所述太阳能电池(1)的邻近所述正表面的第一侧延伸；以及

背电极(90)，从所述硅基体(10)朝向所述太阳能电池(1)的第二侧延伸，所述第二侧与所述第一侧相对。

9.一种制备用于太阳能电池(1)的膜层结构(2)的方法，所述膜层结构(2)位于所述太阳能电池(1)的背面，所述方法包括以下步骤：

提供硅基体(10)，所述硅基体(10)包括与所述太阳能电池(1)的正表面邻近的第一表面、和与所述太阳能电池(1)的背电场(80)邻近的第二表面；

提供第一氧化铝层(20)，所述第一氧化铝层(20)与所述硅基体(10)邻接，并且设置在所述硅基体(10)的所述第二表面；

提供第一氮化硅层(40)，所述第一氮化硅层(40)设置在所述第一氧化铝层(20)的与所述背电场(80)邻近的一侧；以及

提供第一二氧化硅层(30)，所述第一二氧化硅层(30)设置在所述第一氧化铝层(20)和所述第一氮化硅层(40)之间、或者设置在所述第一氮化硅层(40)的与所述背电场(80)邻近的一侧。

10.根据权利要求9所述的方法，其中设置所述第一二氧化硅层(30)包括：通过等离子体增强化学气相沉积设备并且使用硅烷和笑气来沉积所述第一二氧化硅层(30)。

11.根据权利要求9所述的方法，

其中沉积的温度为300℃-455℃，沉积的功率为3500W-9000W，沉积的压力为800mTor-1600mTor，沉积的占空比为5:50ms-5:170ms，沉积的时间为150s-425s，所述硅烷的流量为100sccm-800sccm，并且所述笑气的流量为2400sccm-8000sccm。