[发明专利]双面太阳能电池及其生产方法在审
申请号: | 201910980296.0 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN112670355A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 石强;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 赵林琳;李春辉 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 太阳能电池 及其 生产 方法 | ||
本公开涉及一种双面太阳能电池及其生产方法。一种双面太阳能电池(100)包括背电极。背电极包括:多根铝栅线(75),在第一方向(230)上延伸;以及银电极(310)。银电极(310)包括在第一方向(230)上延伸的多根第一银栅线(320)和在第二方向(240)上延伸的一根或多根第二银栅线(330)。第二方向(240)不同于第一方向(230)。一根或多根第二银栅线(330)与多根第一银栅线(320)相交。多根第一银栅线(320)中的第一银栅线(320)与多根铝栅线(75)中的对应铝栅线(75)连接。本公开的实施例可以减少双面太阳能电池的背表面的遮光面积,从而提高背面效率。
技术领域
本公开涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种双面太阳能电池的背电极。
背景技术
太阳能电池的清洁、安全、便利及高效等特点,使其成为全球未来新能源的主要配置。随着单面太阳能电池的效率提高瓶颈和技术的不断发展,双面太阳能电池的双面发电崭露头角。双面太阳能电池可以减少背面激光损伤,并且减少铝浆印刷面积。
然而,传统双面太阳能电池的银背电极块的图形设计,使背面遮光面积无法继续下降,背面效率提升受到制约。同时,双面电池背主栅的铝厚度和高度会更厚更高,烧结时容易产生铝珠,并且进行组件层压时会产生隐裂。
因此,急需开发一种新的双面太阳能电池的背电极图形,以解决电池和组件生产所遇到的问题,同时进一步提升电池的转换效率。
发明内容
本公开的实施例提供了一种双面太阳能电池以及用于生产双面太阳能电池的方法,以解决或至少部分地解决传统双面太阳能电池中的上述和其它潜在问题。
在本公开的第一方面,提供了一种双面太阳能电池,其包括背电极,该背电极包括:多根铝栅线,在第一方向上延伸;以及银电极,银电极包括在第一方向上延伸的多根第一银栅线和在第二方向上延伸的一根或多根第二银栅线,第二方向不同于第一方向,一根或多根第二银栅线与多根第一银栅线相交;其中多根第一银栅线中的第一银栅线与多根铝栅线中的对应铝栅线连接。
代替传统块状的主栅,本公开使用由栅线形成的银电极,从而可以进一步减少背电极的主栅的占用面积,进而减少遮光面积。得益于电池背面的受光面积的增加,可以提高电池背面的光电转换效率。另一方面,主栅可以仅由银电极形成,而不包括铝条。从而避免了传统技术中由于厚的铝条而产生铝珠和隐裂的问题。
可选地,在一些实施例中,第一银栅线与对应铝栅线之间的重叠距离为1-3000μm。以这种方式,第一银栅线与对应铝栅线搭接在一起。
可选地,在一些实施例中,多根第一银栅线的数目与多根铝栅线的数目相同,并且第一银栅线的宽度与对应铝栅线的宽度相同。以这样的方式,可以保证对铝栅线的载流子的良好收集。
可选地,在一些实施例中,第一银栅线的宽度为1-3000μm。
可选地,在一些实施例中,一根或多根第二银栅线中的第二银栅线用于双面太阳能电池与外围组件的焊接。通过使用第二银栅线来进行焊接,可以避免在背电极的主栅中使用银块,从而最大程度地降低遮光面积。
可选地,在一些实施例中,银电极还包括银块,以用于双面太阳能电池与外围组件的焊接。使用银块来进行焊接,可以改善焊接的可靠性。
可选地,在一些实施例中,一根或多根第二银栅线中的第二银栅线的长度为1-300mm。
可选地,在一些实施例中,一根或多根第二银栅线中的第二银栅线的宽度为1-3000μm。
可选地,在一些实施例中,双面太阳能电池还包括背钝化膜,背钝化膜包括形成于其中的槽,对应铝栅线至少部分地位于槽中,银电极设置在背钝化膜的不含槽的区域内。以这种方式,电池背面的不开槽面积变大,从而减少了激光损伤。
可选地,在一些实施例中,第二方向与第一方向垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的