[发明专利]铟锡镍氧化物靶材及其制造方法

权利要求书

1.一种铟锡镍氧化物靶材，其是由铟、锡、镍及氧所组成，其中镍相对于铟、锡和镍的总和的含量和大于0原子百分比且小于或等于3原子百分比，且该铟锡镍氧化物靶材的平均体电阻率小于2×10^-4欧姆－公分；所述铟锡镍氧化物靶材的X光绕射光谱包含一第一特征峰及一第二特征峰，该第一特征峰的2θ为30.243°±1.000°，该第二特征峰的2θ为30.585°±1.000°，其中该第二特征峰的2θ相对于氧化铟标准品的X光绕射光谱中2θ为30.585°的特征峰的2θ偏移量大于0.02°。

2.如权利要求1所述的铟锡镍氧化物靶材，其中镍相对于铟、锡和镍的总和的含量和大于或等于0.1原子百分比且小于或等于2.8原子百分比。

3.如权利要求1所述的铟锡镍氧化物靶材，其中锡相对于铟、锡和镍的总和的含量和大于0原子百分比且小于或等于10原子百分比。

4.如权利要求1至3中任一项所述的铟锡镍氧化物靶材，其中该铟锡镍氧化物靶材包含二次相，该二次相的成分为铟锡氧化物，该二次相的面积占该铟锡镍氧化物靶材的截面积的比例小于16％。

5.如权利要求1至3中任一项所述的铟锡镍氧化物靶材，其中以该第二特征峰的绕射强度为基准，该第一特征峰的绕射强度相对于该第二特征峰的绕射强度的比例小于30％。

6.一种制造如权利要求1至5中任一项所述的铟锡镍氧化物靶材的方法，包含下列步骤：

(1)将铟的氧化物粉末、锡的氧化物粉末及镍的氧化物粉末混合并进行喷雾造粒，得到造粒粉末，其中该造粒粉末中镍相对于铟、锡和镍的总和的含量和大于0原子百分比且小于或等于3原子百分比，该造粒粉末直径不大于150微米；

(2)将该造粒粉末进行预成型，接续转以冷均压成型以得到一靶胚；及

(3)将该靶胚于1500℃至1600℃下烧结10小时至20小时，以获得该铟锡镍氧化物靶材。