[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201910981676.6 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110824789B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 陈兴武 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/137 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 李汉亮 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
一种液晶显示装置包括具有第一电极的第一基板、具有第二电极的第二基板、夹设于第一基板和第二基板之间的液晶层、第一偏光片以及第二偏光片,液晶层中的液晶掺杂有手性剂,液晶螺距为8~60微米,液晶的有效光程差为300~550纳米。通过在液晶中加入手性剂,利用手性剂产生的螺旋扭曲力带动像素周边的液晶分子转动,从而缩小像素周边的暗纹区域,另外通过改变主干电极与分支电极角度或者偏光片的偏光轴与主干电极角度,使得液晶显示装置的穿透率最大化,进而实现高穿透率显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示装置。
背景技术
目前常用的液晶显示器分为TN(Twisted Nematic,扭转向列型)模式、VA(Vertical Alignment,垂直对齐)模式、IPS(In-plane switching;平面方向转换)模式、以及FFS(Fringe Field Switching);边缘场开关)模式等。现有VA显示模式中最常用的是PSVA(Polymer stabilized vertical alignment,聚合物稳定垂直排列)技术,其具有高对比度和响应速度快的优势。PSVA液晶显示技术已成为目前最广泛的显示技术,但人们对显示技术的要求也越来越高,广视角和高穿透率一直是显示技术未来发展的重要方向。
PSVA显示模式需要在Cell制程中增加UV制程,即在加电情况下进行紫外光(UV)照射,使液晶分子沿着某一方向倒向后,利用紫外光照射使得液晶内可聚合单体聚合,形成一定的预倾角。然而,这种方式在现有像素结构设计中,像素周边区域显示会存在非理想状况,产生暗纹区域。
发明内容
本发明提供一种液晶显示装置,以解决现有的液晶显示装置,由于采用PSVA显示模式,像素周边会产生暗纹区域,影响产品的穿透率,进而影响显示的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种液晶显示装置,包括具有第一电极的第一基板、具有第二电极的第二基板、夹设于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层、第一偏光片、以及第二偏光片,所述第二基板与所述第一基板相对设置,所述第一偏光片设置于所述第一基板背离所述液晶层的一侧,所述第二偏光片设置于所述第二基板背离所述液晶层的一侧,其中,所述液晶层中的液晶掺杂有手性剂,所述液晶的螺距为8~60微米,所述液晶的有效光程差为300~550纳米。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一电极包括至少一个主干电极和多个分支电极,所述主干电极限定出多个筹,不同筹内的所述分支电极自所述主干电极向不同方向延伸,同一筹内的所述分支电极平行排列。
在本发明的至少一种实施例中,每个筹内的所述分支电极与所述主干电极之间的夹角相同且为45度。
在本发明的至少一种实施例中,所述第二偏光片的偏光轴与所述主干电极之间的夹角为θ,当所述液晶的螺距为8~11微米时,θ为40~60度;当所述液晶的螺距为11~13.5微米时,θ为35~55度;当所述液晶的螺距为13.5~16微米时,θ为25~45度;当所述液晶的螺距为16~18.5微米时,θ为20~40度;当所述液晶的螺距为18.5~60微米时,θ为15~35度。
在本发明的至少一种实施例中,所述主干电极的延伸方向与所述第二偏光片的偏光轴重合。
在本发明的至少一种实施例中,所述主干电极将所述多个分支电极划分为第一筹、与所述第一筹相邻的第二筹、与第一筹呈对角区域的第三筹、以及与所述第二筹呈对角区域的第四筹。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一筹内的所述分支电极以及所述第三筹内的所述分支电极与所述主干电极之间的夹角相同,所述第二筹内的所述分支电极以及所述第四筹内的所述分支电极与所述主干电极之间的夹角相同。
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