[发明专利]阶梯型字线结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910981688.9 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN112670269A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 冯鹏;孔忠;李雄 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高翠花
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阶梯 型字线 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种阶梯型字线结构,其特征在于,包括导电层,所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型。

2.根据权利要求1所述的阶梯型字线结构,其特征在于,所述导电层的顶端以所述导电层的中心线为轴对称设置。

3.根据权利要求1所述的阶梯型字线结构,其特征在于,所述阶梯型字线结构还包括一设置在所述导电层外表面的阻挡层,所述导电层的顶端的最高点高于所述阻挡层的上端面。

4.根据权利要求3所述的阶梯型字线结构,其特征在于,所述导电层的顶端的最低点高于所述阻挡层的上端面。

5.根据权利要求3所述的阶梯型字线结构,其特征在于,所述阶梯型字线结构还包括栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在所述阻挡层的外表面。

6.根据权利要求5所述的阶梯型字线结构,其特征在于,所述栅极绝缘层的上端面高于所述导电层的顶端的最高点。

7.一种阶梯型字线结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供衬底,所述衬底具有多个间隔设置的沟槽;

在所述沟槽内填充导电材料,形成导电层,所述导电层的顶端低于所述沟槽上缘;

分多次刻蚀所述导电层,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括如下步骤:

在形成所述导电层之前,在所述沟槽侧壁形成栅极绝缘层及阻挡层;

在所述栅极阻挡层内填充导电材料,形成所述导电层。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型的方法包括如下步骤:自所述导电层顶端的边缘向所述导电层顶端的中心,多次沿垂直所述导电层顶端的方向刻蚀所述导电层,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型的方法包括如下步骤:

在所述沟槽未被所述导电层填充部分形成一掩膜层,所述掩膜层覆盖所述导电层的顶端;

自所述导电层顶端边缘起多次图形化所述掩膜层,并在每次图形化所述掩膜层后刻蚀所述导电层,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型。

11.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型的方法包括如下步骤:

在所述沟槽未被所述导电层填充部分沿所述沟槽的侧壁形成多层掩膜层,沿所述导电层顶端的边缘至中心的方向所述多层掩膜层依次排列;

自最外层的掩膜层起依次去除所述掩膜层,并在每去除一层掩膜层后对所述导电层进行刻蚀,使所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型。

12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述沟槽未被所述导电层填充部分沿所述沟槽的侧壁形成四层掩膜层。

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,沿所述导电层顶端的边缘至中心的方向所述掩膜层的材料依次为氮化物、碳、硼磷硅玻璃、正硅酸乙酯。

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