[发明专利]一种2.5D封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种2.5D封装结构，包括：

转接板；

导电硅通孔，所述导电硅通孔设置在贯穿所述转接板的内部；

转接板正面重新布局布线层，所述转接板正面重新布局布线层电连接所述导电硅通孔；

第一芯片，所述第一芯片设置在所述转接板正面重新布局布线层的上方，并与所述转接板正面重新布局布线层电连接；

第二芯片，所述第二芯片设置在所述转接板正面重新布局布线层的上方，并与所述转接板正面重新布局布线层电连接；

底填胶层，所述底填胶设置在所述第一芯片和或所述第二芯片的底部与所述正面重新布局布线层之间；

正面塑封层，所述正面塑封层包覆所述第一芯片和所述第二芯片；

转接板背面金属层，所述转接板背面金属层电连接所述导电硅通孔，实现与所述转接板正面重新布局布线层、所述第一芯片、所述第二芯片的电连接；

外接焊球，所述外接焊球设置在所述转接板背面金属层的外接焊盘上；以及

背面塑封层，所述背面塑封层包覆除所述外接焊球的所述转接板的背面。

2.如权利要求1所述的2.5D封装结构，其特征在于，还包括第三芯片，所述第三芯片设置在所述转接板正面重新布局布线层的上方，并与所述转接板正面重新布局布线层电连接。

3.如权利要求1所述的2.5D封装结构，其特征在于，所述转接板为硅转接板，其厚度为80微米至130微米。

4.如权利要求1所述的2.5D封装结构，其特征在于，所述转接板正面重新布局布线层为单层或多层导电金属层，并具有设置在同层金属间和临层金属间的介质层，其中最上次金属层进一步包括M个芯片焊盘，M≥2。

5.如权利要求4所述的2.5D封装结构，其特征在于，所述第一芯片和或所述第二芯片通过倒装焊设置在所述芯片焊盘上。

6.如权利要求1所述的2.5D封装结构，其特征在于，所述正面塑封层在包覆所述第一芯片和所述第二芯片的同时，还包覆所述转接板的侧壁。

7.如权利要求6所述的2.5D封装结构，其特征在于，所述背面塑封层与所述正面塑封层一起形成对所述外接焊球以外所有封装结构的包覆保护。

8.一种2.5D封装结构的制造方法，包括：

在衬底上形成导电硅通孔、重新布局布线层、介质层以及切割道；

进行芯片的贴片，并在芯片的底部形成底填胶层；

并在切割道下方的衬底中形成半切槽；

正面塑封完成芯片的晶圆重构，正面塑封层填充所述半切槽；

进行衬底背面减薄，实现导电硅通孔的背面金属漏出，同时实现半切槽内的正面塑封层的背面漏出；

在衬底背面形成背面金属层和外接焊球；

形成背面塑封层；以及

分割形成单颗封装结构。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，分割后所述正面塑封层包覆所述封装结构的顶面和侧面，所述背面塑封层包覆所述封装结构的底面除外接焊球之外的部分，并与所述正面塑封层相连，实现六面包覆结构。