[发明专利]片内参考电流产生电路

权利要求书

1.一种片内参考电流产生电路，用以供应至少一参考电流给至少一负载，其特征在于，所述片内参考电流产生电路包括：

晶体管；

运算放大单元，其正输入端输入一参考电压，负输入端耦接所述晶体管的源极，输出端耦接所述晶体管的栅极；

第一下拉电阻单元，耦接于所述晶体管的源极与接地之间，所述第一下拉电阻单元为经过ZQ校准电路校准的电阻单元；

电流镜单元，耦接于所述晶体管的漏极与电源电压之间，用于将产生的电流输出供所述负载使用。

2.根据权利要求1所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述ZQ校准电路具有一第二下拉电阻单元及校准所述第二下拉电阻单元的下拉校准码，所述第一下拉电阻单元复制所述第二下拉电阻单元，并使用所述下拉校准码作为所述第一下拉电阻单元的下拉校准码。

3.根据权利要求2所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述第一下拉电阻单元与所述第二下拉电阻单元相邻设置。

4.根据权利要求1所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述参考电压小于2(V_GS-V_TH)。

5.根据权利要求4所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述参考电压为2(V_GS-V_TH)的1/100～1/10。

6.根据权利要求1所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述片内参考电流产生电路还包括与所述第一下拉电阻单元并联的旁路电阻单元，在所述第一下拉电阻单元未被所述ZQ校准电路校准之前，所述旁路电阻单元开启，在所述第一下拉电阻单元被所述ZQ校准电路校准后，所述旁路电阻单元关断。

7.根据权利要求6所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述旁路电阻单元包括至少一晶体管。

8.根据权利要求7所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述旁路电阻单元中的所述晶体管的源极接地。

9.根据权利要求1所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述第一下拉电阻单元包括多个并行耦合的晶体管。

10.根据权利要求1所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述片内参考电流产生电路还包括带隙电压产生器，所述带隙电压产生器耦接所述运算放大单元的正输入端，用于产生所述参考电压。

11.根据权利要求1所述的片内参考电流产生电路，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管。