[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管结构层；以及公共电极层，设于所述薄膜晶体管结构层上；

第一开孔，设于所述公共电极层上；

钝化层，覆于所述公共电极层上且填充于所述第一开孔；

像素电极层，覆于所述钝化层上并穿过所述钝化层和所述第一开孔连接至所述薄膜晶体管结构层；

开口，从所述像素电极层延伸至所述公共电极层的表面；

第一填充层，覆于所述公共电极层、所述像素电极层上并填充于所述开口，所述钝化层的光的透过率小于所述第一填充层的光的透过率；所述第一填充层所有材料为氧化硅材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括基底；

有源层，设于所述基底上；

栅极绝缘层，覆于所述基底上并覆盖所述有源层；

栅极层，设于所述栅极绝缘层上；

层间介质层，覆于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极层；

第二开孔，从所述层间介质层延伸至所述有源层的表面；

源极和漏极，设于所述层间介质层上并分别通过一第二开孔连接至所述有源层；

平坦化层，设于所述层间介质层上并覆盖所述源极和所述漏极；

所述像素电极层连接至所述漏极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极覆于所述第二开孔的孔壁上；

所述薄膜晶体管结构层还包括填充层，填充于所述第二开孔中且覆于所述源极和所述漏极的表面；所述填充层所用材料为氧化硅或氮化硅材料。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层还包括金属遮光层，设于所述基底远离所述有源层的一面且对应于所述有源层所在区域。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述基底所用材料为氧化硅和/或氮化硅；所述层间介质层所用材料为氧化硅和/或氮化硅；所述像素电极层和所述公共电极层所用材料均为氧化铟锡材料。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层所用材料为氮化硅材料。

7.一种制备方法，用以制备如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括以下步骤：

制备所述薄膜晶体管结构层；

形成所述公共电极层于所述薄膜晶体管结构层上；

形成贯穿所述公共电极层的所述第一开孔；

形成所述钝化层于所述第一开孔中和所述公共电极层的表面；

形成贯穿所述钝化层、所述第一开孔并延伸至所述薄膜晶体管结构层内的第三开孔；

形成所述像素电极层于所述第三开孔中和所述钝化层上；

涂布光阻材料于所述像素电极层上形成光阻层，并曝光显影所述光阻层形成像素电极图案；

根据形成的所述像素电极图案，湿法刻蚀所述像素电极层形成像素电极以及所述像素电极之间的第一缺口；

在所述第一缺口中，干法刻蚀所述钝化层形成第二缺口，所述第一缺口和第二缺口形成所述开口；

去除所述光阻层；

沉积填充材料于所述开口中和所述公共电极层、所述像素电极层的表面形成所述第一填充层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在制备所述薄膜晶体管结构层步骤中，包括提供一基底；

形成有源层于所述基底上；

形成栅极绝缘层于所述基底上并覆盖所述有源层；

形成栅极层于所述栅极绝缘层上；

形成层间介质层于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极层；

形成从所述层间介质层延伸至所述有源层的表面的第二开孔；

形成源极和漏极于所述层间介质层上以及所述第二开孔的孔壁上和所述第二开孔的孔底的所述有源层上；

沉积氧化硅或氮化硅材料于所述第二开孔中形成填充层；

形成平坦化层于所述层间介质层上并覆盖所述源极、所述漏极和所述填充层；

在形成第三开孔步骤中，所述第三开孔延伸至所述漏极的表面。