[发明专利]半导体封装方法、半导体封装结构及封装体

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，在所述第一表面具有多个凹槽，在所述凹槽底部具有多个导电柱，所述导电柱贯穿所述凹槽底部至所述第二表面；

提供多个半导体裸片堆叠体；

将所述半导体裸片堆叠体置于所述凹槽中，所述半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于所述凹槽的上边缘，所述半导体裸片堆叠体的底部与所述导电柱电连接；

在所述半导体裸片堆叠体上表面覆盖绝缘材料，形成绝缘介质层，且所述绝缘介质层填充所述凹槽的侧壁与所述半导体裸片堆叠体之间的间隙的上部，以密封所述半导体裸片堆叠体，形成半导体封装结构。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述衬底晶圆的第二表面具有多个导电块，所述导电块与所述导电柱电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述衬底晶圆上形成凹槽的方法包括如下步骤：

对所述衬底晶圆的第一表面进行平坦化处理；

自所述第一表面去除部分所述衬底晶圆，至暴露出所述导电柱，形成所述凹槽。

4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述衬底晶圆具有切割道，以所述切割道作为形成所述凹槽的对准标记。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体裸片堆叠体由多个半导体裸片堆叠形成，所述半导体裸片之间电连接，并通过所述半导体裸片堆叠体的底部与所述导电柱电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体裸片之间通过贯穿各所述半导体裸片的导电柱及相邻所述半导体裸片间的导电块电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体裸片堆叠体的底部与贯穿所述凹槽底部的导电柱之间通过导电块电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述衬底晶圆的热膨胀系数大于或者等于所述绝缘介质层的热膨胀系数。

9.根据权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，所述衬底晶圆为硅晶圆，所述绝缘介质层为二氧化硅绝缘介质层。

10.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括如下步骤：在所述绝缘介质层的上表面及所述衬底晶圆的第一表面覆盖盖板晶圆。

11.根据权利要求10所述的半导体封装方法，其特征在于，所述盖板晶圆朝向所述衬底晶圆的表面具有多个导电柱，所述导电柱通过所述绝缘介质层中的导电结构与所述半导体裸片堆叠体的上表面电连接。

12.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在密封所述半导体裸片堆叠体的步骤后，还包括切割步骤：沿凹槽之间的间隙切割所述半导体封装结构，形成多个彼此独立的封装体。

13.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，在所述第一表面具有多个凹槽，在所述凹槽底部具有多个导电柱，所述导电柱贯穿所述凹槽底部至所述第二表面；

多个半导体裸片堆叠体，放置在所述凹槽内，且所述半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于所述凹槽的上边缘，所述半导体裸片堆叠体的底部与所述导电柱电连接；

绝缘介质层，覆盖所述半导体裸片堆叠体上表面，且所述绝缘介质层填充所述凹槽的侧壁与所述半导体裸片堆叠体之间的间隙的上部，以密封所述半导体裸片堆叠体。

14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述衬底晶圆的第二表面具有多个导电块，所述导电块与所述导电柱电连接。