[发明专利]腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备在审
申请号: | 201910982087.X | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110610881A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 王松涛 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 目标腔室 压力平衡 压力平衡阀 判断结果 抽气 预设 充气 半导体加工设备 有效解决 过渡腔 可控制 种腔室 气路 容差 通断 | ||
1.一种腔室压力平衡方法,其特征在于,包括以下步骤:
根据当前工艺任务,对第一目标腔室进行抽气或充气;
判断所述第一目标腔室与第二目标腔室之间的压力差值是否在第一预设范围内;若判断结果为是,则停止对第一目标腔室进行抽气或充气,并且打开可控制所述第一目标腔室与第二目标腔室之间气路通断的第一压力平衡阀;
判断所述第一目标腔室与第二目标腔室在指定时间内的压力值是否均达到各自预设的容差允许范围内;若判断结果为是,则关闭所述第一压力平衡阀。
2.根据权利要求1所述的腔室压力平衡方法,其特征在于,所述对所述第一目标腔室进行抽气或充气,具体包括:
开启慢抽阀,判断所述第一目标腔室在指定时间内是否达到预设的第一抽气压力值;若判断结果为是,则关闭慢抽阀,开启快抽阀;或者,
开启慢充阀,判断所述第一目标腔室在指定时间内是否达到预设的第一充气压力值;若判断结果为是,则关闭慢充阀,开启快充阀。
3.根据权利要求1所述的腔室压力平衡方法,其特征在于,所述判断所述第一目标腔室与第二目标腔室之间的压力差值是否在第一预设范围内,具体包括:
通过第一传感器获取当前所述第一目标腔室的压力值;并且通过第二传感器获取当前所述第二目标腔室的压力值;
将当前所述第一目标腔室的压力值与当前所述第二目标腔室的压力值做差得到两个腔室的当前压力差值;
判断所述当前压力差值是否在第一预设范围内。
4.根据权利要求1所述的腔室压力平衡方法,其特征在于,所述第二目标腔室包括真空腔或大气端。
5.根据权利要求1-4任一项所述的腔室压力平衡方法,其特征在于,在所述根据当前工艺任务,对所述第一目标腔室进行抽气或充气的步骤之前,还包括:
判断平衡功能是否启动,所述平衡功能用于标识所述腔室的压力平衡方法是否能正常执行;
若所述平衡功能已开启,则根据所述工艺任务,对所述第一目标腔室进行抽气或充气。
6.一种腔室压力平衡装置,其特征在于,包括:
存储模块、腔室控制模块、平衡阀控制模块以及分别与所述存储模块、所述腔室控制模块和所述平衡阀控制模块电连接的判断模块;
腔室控制模块,用于根据当前工艺任务,对所述第一目标腔室进行抽气或充气;
所述判断模块,用于判断所述第一目标腔室与第二目标腔室之间的压力差值是否在第一预设范围内;若判断结果为是,则停止对第一目标腔室进行抽气或充气,并且将判断结果发送给所述平衡阀控制模块;以及
判断所述第一目标腔室与第二目标腔室在指定时间内的压力值是否均达到各自预设的容差允许范围内;若判断结果为是,将所述判断结果发送给所述平衡阀控制模块;
所述平衡阀控制模块用于在所述第一目标腔室与所述第二目标腔室之间的压力差值在第一预设范围时,打开可控制所述第一目标腔室与第二目标腔室之间气路通断的第一压力平衡阀;或者所述第一目标腔室与所述第二目标腔室在指定时间内的压力值均达到各自预设的容差允许范围时,关闭所述第一压力平衡阀;
所述存储模块,用于存储当前工艺任务。
7.根据权利要求6所述的腔室压力平衡装置,其特征在于,
所述第二目标腔室包括真空腔或大气端。
8.一种腔室压力平衡系统,其特征在于,包括:第一目标腔室、第二目标腔室、抽气装置、充气装置和用于连通第一目标腔室与第二目标腔室的管路组件,还包括如权利要求6所述的腔室压力平衡装置。
9.一种半导体加工设备,其特征在于,还包括:如权利要求8所述的腔室压力平衡系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造