[发明专利]一种彩色μLED发光显示器件有效
申请号: | 201910982269.7 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110556459B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 周雄图;王文雯;张永爱;郭太良;吴朝兴;林志贤;严群 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/14;H01L27/15 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈明鑫;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩色 led 发光 显示 器件 | ||
1.一种彩色μLED发光显示器件,其特征在于:包括从上到下依次设置的上驱动电极基板、上驱动电极,μLED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板;所述μLED晶粒包括至少2种不同颜色的发光层,不同颜色发光层之间设置有载流子阻挡层;所述μLED晶粒均匀放置于上、下驱动电极之间;所述上、下驱动电极均连接于交流控制模块,所述交流控制模块提供交变驱动信号,通过电磁耦合实现对μLED晶粒的点亮;且通过控制交变驱动信号的电压和频率大小来控制载流子在不同发光层进行复合,发出不同颜色光,实现彩色μLED发光显示;所述μLED晶粒还包括缓冲层、n型掺杂半导体层、发光层、载流子阻挡层和p型掺杂半导体层,晶粒尺寸为1纳米~1000微米。
2.根据权利要求1所述的一种彩色μLED发光显示器件,其特征在于:所述 p型掺杂半导体层厚度为1nm-2.0μm,所述发光层厚度为1nm-1.0μm,所述n型掺杂半导体层厚度为1nm-2.5μm;所述载流子阻挡层对电子或者空穴起阻挡作用,厚度为1纳米~100纳米。
3.根据权利要求1所述的一种彩色μLED发光显示器件,其特征在于:所述上驱动电极和下驱动电极至少一个是透明电极,两电极之间具有一定的间隔,形成一个独立的空间。
4.根据权利要求1所述的一种彩色μLED发光显示器件,其特征还在于:还设置有绝缘介质层,所述绝缘介质层设置于两个驱动电极表面或μLED晶粒的外表面。
5.根据权利要求1所述的一种彩色μLED发光显示器件,其特征还在于:所述交流控制模块提供幅值和极性随时间变化的交变电压,所述交变电压的波形包括正弦波、三角波、方波、脉冲及其复合波形,所述交变电压的频率为1Hz-1000MHz,且占空比可调。
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