[发明专利]一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，包括：透明下基板、透明上基板、蓝光μLED晶粒、波长下转换发光层、控制模块、连接所述透明上基板和透明下基板的封框体、设置于透明上基板的排气口、设置于透明上基板的彩色滤光膜、设置于透明下基板表面的反射层、设置于透明上基板表面的扩散层、设置于透明下基板上方的下驱动电极、设置于透明上基板下方的上驱动电极，其特征在于，

所述上驱动电极与下驱动电极分别设置于所述蓝光μLED晶粒两侧，所述上驱动电极、下驱动电极与所述蓝光μLED晶粒之间设置所述波长下转换发光层；所述上驱动电极、下驱动电极与所述蓝光μLED晶粒之间无直接的电学接触，形成一个独立的空间；所述控制模块分别与所述上驱动电极、所述下驱动电极电学连接，所述控制模块为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号，并在所述上驱动电极与所述下驱动电极之间形成的驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，所述第一光源经所述波长下转换发光层而转化为第二光源，所述第一光源经所述反射层后与所述第二光源由所述扩散层后混合成均匀的第三光源；所述第三光源经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。

2.根据权利要求1所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述彩色滤光膜设置于所述透明上基板上表面，并与所述上驱动电极对应；所述彩色滤光膜沿上驱动电极的方向依次构成用于红光显示的R单元，用于绿光显示的G单元以及用于蓝光显示的B单元；所述R 单元，G单元和B单元等间距排列，相邻之间填充黑色障壁。

3.根据权利要求1所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述蓝光μLED晶粒由若干个蓝光μLED芯片沿垂直方向串联而成，或由若干个蓝光μLED芯片沿水平方向并联而成，或由若干个蓝光μLED芯片任意堆积而成。

4.根据权利要求3所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述蓝光μLED芯片包括p型半导体材料、发光结构及n型半导体材料，所述p型半导体材料、发光结构及n型半导体材料沿垂直方向堆垛形成半导体结。

5.根据权利要求4所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述半导体结包括单一半导体结、半导体对结、多半导体结中的一种或多种的组合；所述 P型半导体材料厚度为1nm-2.0μm，所述发光结构厚度为1nm -1.0μm，所述N型半导体材料厚度为1nm-2.5μm。

6.根据权利要求1所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述上驱动电极是由若干个相互平行的线电极构成，且沿所述μLED晶粒的水平方向设置于所述透明上基板表面；所述下驱动电极是由若干个相互平行线电极构成，且沿所述μLED晶粒的垂直方向设置于所述透明下基板表面，且所述上驱动电极和所述下驱动电极相互垂直，两者之间具有的间隔，形成一个独立空间。

7.根据权利要求1所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述波长下转换发光层设置于所述上驱动电极和所述下驱动电极表面，或设置于所述μLED晶粒的外表面，或与所述μLED晶粒混合包覆一起，并设置于所述上驱动电极和所述下驱动电极形成的独立空间内；所述波长下转换发光层是黄色量子点材料，或为黄色荧光粉材料，或为黄色量子点与黄色荧光粉混合材料；所述波长下转换发光层在所述蓝光μLED晶粒发出第一光源光线照射之下激发波长更长的第二光源，所述第二光源为黄光。

8.根据权利要求1所述的一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件，其特征在于，所述控制模块可提供一种幅值和极性随时间变化的交变电压；所述交变电压的波形为正弦波、三角波、方波、脉冲中的一种或多种的复合波形；所述交变电压的频率为1Hz-1000MHz。