[发明专利]固态摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201910982601.X | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN110808258B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 伊东恭佑 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/702;H04N25/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
布置在第一行的第一光电转换区域和第二光电转换区域;
布置在第二行的第三光电转换区域和第四光电转换区域;
布置在第三行的第五光电转换区域和第六光电转换区域;以及
深沟槽隔离结构,其中
沿着列方向,所述第三光电转换区域布置在所述第一光电转换区域与所述第五光电转换区域之间,
沿着所述列方向,所述第四光电转换区域布置在所述第二光电转换区域与所述第六光电转换区域之间,
所述深沟槽隔离结构的第一部分布置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间,
所述深沟槽隔离结构的第二部分布置在所述第一光电转换区域和所述第三光电转换区域之间,
所述深沟槽隔离结构的第三部分布置在所述第二光电转换区域和所述第四光电转换区域之间,
所述深沟槽隔离结构的第四部分布置在所述第五光电转换区域和所述第六光电转换区域之间,
所述深沟槽隔离结构的第五部分布置在所述第三光电转换区域和所述第五光电转换区域之间,
所述深沟槽隔离结构的第六部分布置在所述第四光电转换区域和所述第六光电转换区域之间,并且
所述深沟槽隔离结构的部分不布置在所述第三光电转换区域和所述第四光电转换区域之间。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域被光学屏障分隔,并且
所述深沟槽隔离结构的所述第一部分位于所述光学屏障内。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第三光电转换区域和所述第四光电转换区域分别被构造用于生成如下信号:所述信号能够被用来获得在像平面相位差自动对焦中使用的相位差信号。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第一光电转换区域与所述第三光电转换区域被光学屏障分隔,并且
所述深沟槽隔离结构的所述第二部分位于所述光学屏障内。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第二光电转换区域与所述第四光电转换区域被光学屏障分隔,并且
所述深沟槽隔离结构的所述第三部分位于所述光学屏障内。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第五光电转换区域与所述第六光电转换区域被光学屏障分隔,并且
所述深沟槽隔离结构的所述第四部分位于所述光学屏障内。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第三光电转换区域与所述第五光电转换区域被光学屏障分隔,并且
所述深沟槽隔离结构的所述第五部分位于所述光学屏障内。
8.根据权利要求1所述的摄像装置,其中:
所述第四光电转换区域与所述第六光电转换区域被光学屏障分隔,并且
所述深沟槽隔离结构的所述第六部分位于所述光学屏障内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的