[发明专利]一种碳基材料表面HfB2

权利要求书

1.一种碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：称量一定比例的HfB₂、SiC粉体并均匀混合，其中HfB₂质量分数为5%-95%，SiC质量分数为5%-95%，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，采用放电等离子烧结的方法，合成碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层；

所述放电等离子烧结具体步骤为：将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200-1800℃，升温速率为5-200℃/min，压力为5-50MPa，保温时间5-300min，在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。

2.根据权利要求1所述的碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于，所述放电等离子烧结步骤之前的具体步骤包括：

（1）碳基体的表面处理：用不同粗糙度砂纸多次打磨碳基体，随后用酒精清洗，最后晾晒至干燥；

（2）混料：首先分别称量一定质量分数的HfB2粉料和SiC粉料，再利用球磨机将两种粉料均匀混合制备出HfB2-SiC复合粉体；

（3）装模：在石墨模具内，用经过步骤（2）得到的HfB2-SiC复合粉体将经过步骤（1）处理后的碳基体包裹，使碳基体被复合粉体均匀包裹。

3.根据权利要求2所述的碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述的碳基体为石墨或C/C复合材料。

4.根据权利要求2所述的碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：上述步骤（2）中，所述混料过程中，球磨机转速为50-1000r/min，球磨时间为0.5-10小时。

5.根据权利要求2所述的碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：上述步骤（2）中所述HfB₂和SiC粉料的纯度≥99.0％，粒度≤50μm。

6.根据权利要求2所述的碳基材料表面HfB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：上述步骤（3）中，基体四周所覆盖HfB₂-SiC复合粉体的厚度为碳基体厚度的0.1-3倍。