[发明专利]一种基于纳米线的μLED显示设计方法

权利要求书

1.一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，在衬底上生长能够产生红、绿、蓝三基色的不同纳米线材料，将不同纳米线材料分别溶于绝缘的光固化胶后分别栅格池的不同栅格中，并进行固化，最后在栅格池的上、下表面设置电极；

具体包括以下步骤：

步骤S1：生长用于产生红、绿、蓝三基色光源的纳米线材料；

步骤S2：将产生红、绿、蓝三基色光源的纳米线材料分别掺入光固化胶内并充分搅拌，将纳米线材料均匀地分散在光固化胶内，得到充分搅拌后的光固化胶-纳米线材料胶体；

步骤S3：将充分搅拌后的光固化胶-纳米线材料胶体分别对应注入对应红、绿、蓝三基色子像素的栅格池的栅格之内并进行光固化，光固化后利用激光切割的方式将溢出的固化胶体切除，得到子像素固化的μLED；

步骤S4：在栅格池的上、下表面通过贴片电极贴合或生长电极的方法，使能够在交流电条件下工作的电极与对应子像素固化的μLED一一对应，利用激光切割的方式切取需要的显示尺寸；

步骤S1包括以下步骤：

步骤S11：对衬底进行清洗和处理；

步骤S12：将衬底放入物理气相沉积装置反应腔内，并开始纳米线缓冲层的蒸镀，以解决衬底与纳米线在轴方向上的失配，纳米线在生长时沿着侧面和垂直于结界面两个方向上释放由于衬底和纳米线材料晶格不匹配引起的应力应变，能够方便地在径向或轴向串接生长晶格失配的材料；

步骤S13：将覆有缓冲层薄膜的衬底放入多片式HVPE生长系统中，以衬底为下，开始低温生长纳米线，使得纳米线自下而上生长成为正电倾向性p掺杂纳米线端头-p掺杂纳米线-n掺杂纳米线-负电倾向性n掺杂纳米线端头结构；

步骤S14：降温取出样品，即获得纳米线材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，所述纳米线材料为同质结纳，其上、下两端分别为n、p掺杂，两个端顶分别呈负电倾向性和正电倾向性，在n、p同质结交界中心能够产生电子、空穴复合。

3.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，所述纳米线的内径在40nm到60nm之间，长度在300nm到400nm之间。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，对于不同基色的子像素，纳米线生长材料选择来自III-V族的不同直接带隙半导体化合物。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，所述光固化胶采用透明绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，所述栅格池采用透明绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，所述栅格池中的栅格为口字形，长度在16um-32um之间，宽度在9-18um之间，深度为9-18um。

8.根据权利要求1所述的一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，所述电极采用能够在交流电条件下工作的材料，包括但不限于石墨烯、PEDOT：PSS、金属银、铂或金。