[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓功率器件，包括由下至上依次连接的衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)、p型氮化镓块层(6)和栅金属块层；其特征在于，所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层(7)和第二栅金属层(8)；所述第一栅金属层(7)与所述p型氮化镓块层(6)欧姆接触，所述第二栅金属层(8)与所述p型氮化镓块层(6)肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第二栅金属层(8)包裹所述第一栅金属层(7)。

3.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述势垒层(4)顶面连接有源极(9)和漏极(10)；所述源极(9)和所述漏极(10)分别位于所述p型氮化镓块层(6)的两侧，并与所述势垒层(4)欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的氮化镓功率器件，其特征在于，包括与所述势垒层(4)连接的介质层(11)；所述介质层(11)包覆所述p型氮化镓块层(6)、所述第二栅金属层(8)、所述源极(9)和所述漏极(10)；所述介质层(11)设有连接所述源极(9)的第一开孔、连接所述漏极(10)的第二开孔和连接所述第二栅金属层(8)的第三开孔；其中，所述第一开孔安装有与所述源极(9)连接的第一互联金属层(13)，所述第二开孔安装有与所述漏极(10)连接的第二互联金属层(14)，所述第三开孔安装有与所述第二栅金属层(8)相连接的第三互联金属层(15)。

5.一种氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上沉积缓冲层、沟道层、势垒层、和p型氮化镓块层；

在所述p型氮化镓块层上制备第一栅金属层，所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第一栅金属层的面积尺寸小于所述p型氮化镓块层的面积尺寸；

在所述第一栅金属层和所述p型氮化镓块层上制备第二栅金属层，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。

6.根据权利要求5所述的氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在所述势垒层上制备源极和漏极；所述源极和所述漏极分别位于所述p型氮化镓块层两侧，并与所述势垒层欧姆接触。

7.根据权利要求6所述的氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在所述势垒层上沉积介质层，所述介质层包覆所述p型氮化镓块层、所述第二栅金属层、所述源极和所述漏极。

8.根据权利要求7所述的氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在所述介质层上开设连接所述源极的第一开孔、连接所述漏极的第二开孔和连接所述第二栅金属层的第三开孔；

在所述第一开孔上制备与所述源极连接的第一互联金属层，在所述第二开孔上制备与所述漏极连接的第二互联金属层，在所述第三开孔上制备与所述第二栅金属层相连接的第三互联金属层。

9.根据权利要求8所述的氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在所述介质层表面上沉积钝化层；

在所述钝化层上开设有连接所述第一互联金属层的第四开孔、连接所述第二互联金属层的第五开孔和连接所述第三互联金属层的第六开孔。

10.根据权利要求5-9任一项所述的氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在所述势垒层和所述沟道层两侧通过台面刻蚀或离子注入形成隔离区。