[发明专利]一种化合物薄膜及其制备方法、化合物薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

将掺有Bi的吸收层前驱体在低温条件下进行退火处理；

其中，Bi的吸收层前驱体通过以下方法制备得到：

在镀钼的钠钙玻璃衬底表面溅射或热蒸发沉积金属Bi层；

在所述金属Bi层上溅射、热蒸发或旋涂沉积吸收层；

且所述金属Bi层的厚度小于或等于100nm，所述吸收层的厚度为1～2μm。

2.根据权利要求1所述的化合物薄膜的制备方法，其特征在于：

所述吸收层的种类至少可选择为铜铟镓硒或铜锌锡硫。

3.根据权利要求2所述的化合物薄膜的制备方法，其特征在于：

当采用溅射方式沉积所述金属Bi层时，溅射气压0.8Pa，溅射功率密度0.679W/cm²，溅射时间20s；

当采用溅射方式沉积所述吸收层时，溅射气压为1.0Pa，溅射功率密度3.395W/cm²，溅射时间100min。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物薄膜的制备方法，其特征在于，在将掺有Bi的吸收层前驱体在低温条件下进行退火处理的步骤中：

低温条件为400～500℃，退火处理是进行硒化退火处理。

5.根据权利要求4所述的化合物薄膜的制备方法，其特征在于：

所述硒化退火处理的过程中，Se气氛至少可选择为固体Se源或含Se的气体Se源，退火过程中还伴随通入惰性保护气体。

6.根据权利要求4所述的化合物薄膜的制备方法，其特征在于：

所述硒化退火处理的过程中，退火过程中的升温速率为10～30℃/min，退火时间为15～60min，退火的气压为2000Pa^-1atm。

7.一种化合物薄膜，其特征在于，所述化合物薄膜可用于制备化合物薄膜太阳电池，所述化合物薄膜通过权利要求1至6中任一项所述的化合物薄膜的制备方法制备得到。

8.一种化合物薄膜太阳电池，其特征在于，其通过以下方法制备得到：

在权利要求7所述的化合物薄膜的表面沉积CdS缓冲层；

在所述CdS缓冲层的表面沉积ZnO高阻层；

在所述ZnO高阻层的表面溅射沉积ITO导电层；

通过蒸发制备Ag电极后得到样品；

通过机械划线将所述样品上的电池分隔开后得到所述化合物薄膜太阳电池。