[发明专利]基于光热效应的光强探测器及系统在审
申请号: | 201910986149.4 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN110702221A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 解宜原;柴俊雄;宋婷婷;叶逸琛;刘波成;朱云超;严华 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
代理公司: | 50231 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 舒梦来 |
地址: | 400715 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯层 待测光纤 光强探测器 第二电极 第一电极 热噪声 光强 光强度测量 光热效应 耦合 升高 通电 申请 | ||
1.一种基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述光强探测器包括:石墨烯层、第一电极和第二电极;
所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述石墨烯层的一个面上,并处于所述石墨烯层的两端。
2.根据权利要求1所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述光强探测器还包括金属颗粒层,所述金属颗粒层设置在所述石墨烯层远离所述第一电极和所述第二电极的一侧。
3.根据权利要求1所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述金属颗粒层的材料包括:金、银和钼中至少一种贵金属。
4.根据权利要求1所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述光强探测器还包括多个金属单元,所述石墨烯层远离所述第一电极和所述第二电极的一侧挖设有多个孔洞,多个所述孔洞用于放置多个所述金属单元。
5.根据权利要求4所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,多个所述金属单元的材料包括:金、银和钼中至少一种贵金属。
6.根据权利要求1所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述石墨烯层包括:第一石墨烯层和第二石墨烯层,所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层之间形成谐振腔。
7.根据权利要求1所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述光强探测器还包括增加吸收层,所述增加吸收层设置在所述石墨烯层远离所述第一电极和所述第二电极的一侧。
8.根据权利要求7所述的基于光热效应的光强探测器,其特征在于,所述增加吸收层的材料包括石墨烯碎片或者石墨烯粉。
9.一种基于光热效应的光强探测系统,其特征在于,所述光强探测系统包括:光纤、温度检测装置和权利要求1-8任意一项所述的光强探测器,所述光纤上开设所述光强探测器对应的槽,所述光强探测器设置在所述槽中,所述温度检测装置设置在所述光强探测器的石墨烯层上,用于检测所述光强探测器中的石墨烯层的温度。
10.根据权利要求9所述的器件表面磁场显示系统,其特征在于,所述光纤包括:单模光纤和多模光纤。
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