[发明专利]监控光刻机晶圆移载台平整度的方法

权利要求书

1.一种监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，包括：

S1：生成曝光程式，设定曝光程式里的晶圆边缘非聚焦区域，并设定曝光程式里平整度检测的上限值A；

S2：添加掩模板信息，用于曝光；

S3：生成监控产品批次，监控产品批次里的晶圆采用光片；

S4：对步骤S3中的光片进行污染状况监测，将污染状况符合规定的光片保留；

S5：对步骤S4中产生的光片采用步骤S1中生成的曝光程式和步骤S2中的掩模板信息进行曝光，曝光结束后生成曝光文件；以及

S6：抓取曝光文件中平整度超过上限值A的点的信息并将平整度超过上限值A的点定义为异常点，分析异常点数据，得到晶圆移载台的平整度信息。

2.根据权利要求1所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S1中设定曝光程式里的晶圆边缘非聚焦区域小于3㎜。

3.根据权利要求2所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S1中设定曝光程式里的晶圆边缘非聚焦区域等于0。

4.根据权利要求1所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S1中上限值A小于产品的工艺窗口B。

5.根据权利要求4所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S1中上限值A小于产品的工艺窗口B减去10nm，并大于30nm。

6.根据权利要求1所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S2中掩模板采用目前线上产品的掩模板或者已经废弃的掩模板。

7.根据权利要求1所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S3中光片上不长任何薄膜层或者图形，下线的晶圆直接投入使用。

8.根据权利要求1所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S4中，对光片进行污染状况监测，将污染超出规格的光片从监控产品批次中移出，进行清洗并再检测符合污染状况后再次投入使用或直接剔除。

9.根据权利要求8所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，污染状况监测包括对晶圆表面颗粒状况检测。

10.根据权利要求9所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，光片上颗粒直径小于60nm的光片认为是符合规定的光片。

11.根据权利要求9所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，光片上颗粒数小于50颗的光片认为是符合规定的光片。

12.根据权利要求9所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，光片上颗粒直径小于60nm并颗粒数小于50颗的光片认为是符合规定的光片。

13.根据权利要求1所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，在步骤S6中若异常点有特殊分布或者有平整度超过工艺窗口的点，则认为晶圆移载台平整度异常；若无，则认为晶圆移载台平整度正常。

14.根据权利要求13所述的监控光刻机晶圆移载台平整度的方法，其特征在于，抓取异常点的坐标以及平整度信息，并将异常点按X,Y坐标做图，以准确定位异常点的位置，检查异常点是否有特殊分布，同时筛选平整度信息，记录平整度信息最大值，如异常点有特殊分布或者最大值超过工艺窗口，则认为晶圆移载台平整度异常。