[发明专利]激光退火设备及激光退火工艺有效
申请号: | 201910986190.1 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN110767576B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 顾海龙;裴雷洪;何春雷 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268;B23K26/00;B23K26/03;B23K26/062;B23K26/70;B23K37/04 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张彦敏 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 设备 工艺 | ||
1.一种激光退火设备,其特征在于,包括:真空吸盘,用于承载晶圆;激光光源,用于对位于真空吸盘上的晶圆进行激光退火工艺;晶圆位置信息采样设备,用于采样晶圆的实际位置,并输出晶圆的实际位置信息;激光光源控制设备,用于接收晶圆的实际位置信息,并根据晶圆的实际位置信息计算晶圆的实际位置与晶圆的标准位置之间的偏差量,并根据该偏差量调整激光光源的中心点,以使激光光源的中心点跟随晶圆的中心点,当所述偏差量超过阈值时,激光光源控制设备发出报警信号。
2.根据权利要求1所述的激光退火设备,其特征在于,所述晶圆位置信息采样设备为位于激光退火设备内的摄像头。
3.根据权利要求1所述的激光退火设备,其特征在于,所述激光光源控制设备为PXI控制器。
4.根据权利要求1所述的激光退火设备,其特征在于,所述偏差量为晶圆中心点在X轴方向上的晶边与真空吸盘台阶之间的距离X1和X2,及晶圆中心点在Y轴方向上的晶边与真空吸盘台阶之间的距离Y1和Y2。
5.根据权利要求1所述的激光退火设备,其特征在于,所述偏差量为晶圆的中心点相对于晶圆的标准位置的中心点在X轴方向上的距离,及晶圆的中心点相对于晶圆的标准位置的中心点在Y轴方向上的距离。
6.根据权利要求4所述的激光退火设备,其特征在于,当偏差量X1、X2、Y1或Y2大于800微米时,激光光源控制设备发出报警信号。
7.一种激光退火工艺,其特征在于,包括:
S1:激光退火设备中的晶圆位置信息采样设备,采样晶圆的实际位置,并输出晶圆的实际位置信息;以及
S2:激光退火设备中的激光光源控制设备接收晶圆的实际位置信息,并根据晶圆的实际位置信息计算晶圆的实际位置与晶圆的标准位置之间的偏差量,并当偏差量小于预设值时调整激光光源的中心点的位置,以使激光光源的中心点与晶圆的中心点一致,当偏差量大于预设值时控制激光退火设备发出报警信号。
8.根据权利要求7所述的激光退火工艺,其特征在于,所述偏差量为晶圆中心点在X轴方向上的晶边与真空吸盘台阶之间的距离X1和X2,及晶圆中心点在Y轴方向上的晶边与真空吸盘台阶之间的距离Y1和Y2。
9.根据权利要求7所述的激光退火工艺,其特征在于,所述偏差量为晶圆的中心点相对于晶圆的标准位置的中心点在X轴方向上的距离,及晶圆的中心点相对于晶圆的标准位置的中心点在Y轴方向上的距离。
10.根据权利要求8所述的激光退火工艺,其特征在于,当偏差量X1、X2、Y1或Y2大于800微米时,激光光源控制设备发出报警信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造