[发明专利]射频装置及其电压产生装置

权利要求书

1.一种电压产生装置，其特征在于，包括：

一第一开关，具有一第一端被配置为接收一第一电压，其中该第一开关的一控制端被配置为接收一第二电压；以及

一第二开关，具有一第一端被配置为接收该第二电压，其中该第二开关的一控制端被配置为接收该第一电压，该第二开关的一第二端以及该第一开关的一第二端耦接至一输出节点，以及该输出节点输出相关于该第一电压与该第二电压二者至少一者的一输出电压；

一第三开关，具有一第一端被配置为接收该第一电压或该第二电压，其中该第三开关的一控制端被配置为接收一控制电压，以及该第三开关的一第二端耦接至该输出节点；

一逻辑电路，耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压，其中该逻辑电路依据该第一电压与该第二电压来改变该控制电压；

其中该逻辑电路包括：一与非门，具有一第一输入端与一第二输入端分别接收该第一电压与该第二电压，其中该与非门的一输出端耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压。

2.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一电压为一第一控制信号，该第二电压为一第二控制信号或一系统电压。

3.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中

当该第一电压为一高逻辑位准且该第二电压为一低逻辑位准时，该第一开关为导通且该第二开关为截止，以及该第一开关将该第一电压传输至该输出节点以产生该输出电压；以及

当该第一电压为一低逻辑位准且该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关为截止且该第二开关为导通，以及该第二开关将该第二电压传输至该输出节点以产生该输出电压。

4.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压与该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关与该第二开关为截止，该第三开关为导通，以及该第三开关将该第一电压或该第二电压传输至该输出节点以产生该输出电压。

5.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一开关、第二开关与该第三开关是金属氧化物半导体晶体管、双极结型晶体管或异质结双极晶体管。

6.如权利要求5所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一开关、第二开关与该第三开关是P通道金属氧化物半导体晶体管。

7.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压与该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关与该第二开关为截止，该逻辑电路藉由该控制电压导通该第三开关，以及该第三开关将该第一电压或该第二电压传输至该输出节点作为该输出电压。

8.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，更包括：

一电压产生器，耦接至该逻辑电路的一电源端以提供一调节电压，其中该电压产生器使用该第一电压与该第二电压来产生该调节电压。

9.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，其中该调节电压小于该输出电压。

10.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，其中该电压产生器包括：

一第一二极管电路，具有一阳极被配置为接收该第一电压，其中该第一二极管电路的一阴极耦接至该与非门的该电源端；以及

一第二二极管电路，具有一阳极被配置为接收该第二电压，其中该第二二极管电路的一阴极耦接至该与非门的该电源端。

11.如权利要求10所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一二极管电路与该第二二极管电路的任一个包括：

一晶体管，具有一第一端作为该阳极，其中该晶体管的一控制端耦接至该晶体管的一第二端，而该晶体管的该第二端作为该阴极。