[发明专利]包括层叠存储单元的阻变存储器件

说明书

本申请公开一种包括层叠的存储单元的阻变存储器件，包括其中布置有存储单元的多个存储片。第一级字线至第三级字线沿存储片区域的行利用解码电路顺序地层叠在多个存储片区域上。第一级位线被插置在第一级字线和第二级字线之间。第一级位线可以沿存储片区域的列延伸。第二级位线可以被插置在第二级字线和第三级字线之间。第二级位线可以沿存储片区域的列延伸。通过所选存储片区域的解码电路来控制存储片区域之中的所选存储片区域的所选行处的第一级字线和第三级字线以及所选存储片区域的所选列处的第二级位线。通过另一存储片区域的另一解码电路来控制在所选存储片区域的所选行处的第二级字线和在所选存储片区域的所选列处的第一级位线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月10日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0041716的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及非易失性存储器件，更具体地涉及包括多个层叠的存储层(deck)的阻变存储器件。

背景技术

为了提供具有高容量和低功耗的存储器件，已经研究了没有定期刷新的非易失性类型的下一代存储器件。下一代存储器件可能需要动态随机存取存储器(DRAM)的高度集成、刷新存储器的非易失性、SRAM的快速等。

作为下一代存储器件的阻变存储器件可以包括相变RAM(PCRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)、电阻式RAM(ReRAM)等。

PCRAM可以包括布置在字线和位线的重叠部分处的开关元件和储存元件。因此，PCRAM的存储单元阵列结构可以被称为交叉点阵列。

下一代存储器件还可能需要高度集成。因此，可以提出包括交替层叠的字线和位线的层叠存储单元结构。

发明内容

在本公开的示例实施例中，一种阻变存储器件可以包括其中布置有存储单元的多个存储片(tile)。第一级字线至第三级字线可以沿存储片区域的行利用解码电路顺序地层叠在多个存储片区域上。第一级位线可以被插置在第一级字线和第二级字线之间。第一级位线可以沿存储片区域的列延伸。第二级位线可以被插置在第二级字线和第三级字线之间。第二级位线可以沿存储片区域的列延伸。可以通过所选存储片区域的解码电路来控制存储片区域之中的所选存储片区域的所选行处的第一级字线和第三级字线以及所选存储片区域的所选列处的第二级位线。可以通过另一存储片区域的另一解码电路来控制在所选存储片区域的所选行处的第二级字线和在所选存储片区域的所选列处的第一级位线。

在本公开的示例实施例中，一种阻变存储器件可以包括多个存储片和控制块。层叠在具有控制块的每个存储片上的第一存储层可以包括顺序层叠在具有控制块的每个存储片区域上的第一级字线、第一级存储单元和第一级位线。第二存储层可以包括顺序层叠在第一存储层的第一级位线上的第二级存储单元和第二级字线。第三存储层可以包括顺序层叠在第二存储层的第二级字线上的第三级存储单元和第二级位线。第四存储层可以包括顺序层叠在第三存储层的第二级位线上的第四级存储单元和第三级字线。可以通过所选存储片区域的行开关来控制存储片区域之中的所选存储片区域的所选行处的第一级字线的和第三级字线以及与所选存储片区域相邻的第一存储片区域的所选行处的第二级字线。可以通过所选存储片区域的列开关来控制所选存储片区域的所选列处的第二级位线以及与所选存储片区域相邻的第二存储片区域处的第一级位线。