[发明专利]掩模检查装置和方法、以及包括该方法的制造掩模的方法在审
申请号: | 201910988185.4 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN111176068A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 宋弦昔;姜仁勇;张日容 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/86 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 梁栋国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 以及 包括 制造 | ||
1.一种掩模检查装置,包括:
台,其被配置为接收待检查的掩模;
电子束阵列,其包括被配置为将电子束照射到掩模上的多个电子束照射器以及被配置为检测从掩模发射的电子的检测器;以及
处理器,其被配置为处理来自检测器的信号,
其中,通过信号的处理来检测掩模的缺陷,并且基于关于电子束照射器的位置信息来检查掩模上的图案的配准。
2.如权利要求1所述的掩模检查装置,
其中,电子束照射器以1维或2维阵列形式排列在电子束阵列的基板保持器上,并且
其中,使用包括参考位置处的参考图案的参考掩模获得位置信息。
3.如权利要求2所述的掩模检查装置,
其中,第一测量位置,即,参考图案的位置,由来自所述多个电子束照射器中的电子束照射器测量,并且
其中,位置信息包括第一偏移值,所述第一偏移值是第一测量位置和参考位置之间的差。
4.如权利要求3所述的掩模检查装置,
其中,第二测量位置,即,掩模上图案的位置,由电子束照射器测量,
第二偏移值被获得,所述第二偏移值是第二测量位置与掩模上的图案在其设计上的位置之间的差,并且
通过从第二偏移值中减去第一偏移值来获得配准。
5.如权利要求1所述的掩模检查装置,
其中,通过扫描获得掩模的整个表面的配准。
6.如权利要求1所述的掩模检查装置,
其中,在配准中排除由于台引起的位置误差。
7.如权利要求1所述的掩模检查装置,
其中,所述电子束阵列包括n个电子束照射器,其中,n是至少为2的整数,并且
其中,基于第i个(其中i是整数且1=i=n)电子束照射器的配准是通过从由第i个电子束照射器获得的初始值中减去由于台引起的位置误差而获得的。
8.如权利要求7所述的掩模检查装置,
其中,当基于第i个电子束照射器的配准由Ri表示,并且由于台引起的位置误差由Es表示时,由第i个电子束照射器获得的初始值表示为Ri+ES,
其中,当n个电子束照射器的初始值的平均由Rav表示时,Rav由下式表示:
Rav=[R1+R2+,...,+R(n-1)+Rn]/n+Es,
其中,[R1+R2+,...,+R(n-1)+Rn]/n收敛到零,并且其中,由于台引起的位置误差(Es)被获得作为初始值的平均(Rav)。
9.如权利要求1所述的掩模检查装置,
其中,在扫描掩模期间,在由第一电子束照射器覆盖的第一区域和由与第一电子束照射器相邻的第二电子束照射器覆盖的第二区域之间重叠有重叠区域,并且
其中,通过使用重叠区域检验检查的异常。
10.如权利要求9所述的掩模检查装置,
其中,通过将在扫描结束时由第一电子束照射器在重叠区域中获得的配准与在扫描开始时由第二电子束照射器在重叠区域中获得的配准进行比较来检验检查的异常。
11.如权利要求1所述的掩模检查装置,
其中,检测器被设置在相应的电子束照射器中。
12.一种掩模检查装置,包括:
台,其被配置为接收用于检查的掩模;
多个电子束照射检测单元,其每个包括:被配置为将电子束照射到掩模上的电子束照射器,以及被配置为检测从掩模发射的电子的检测器;以及
基板保持器,多个电子束照射检测单元以一维或二维阵列形式排列在所述基板保持器上,
其中,通过处理来自检测器的信号来检测掩模的缺陷,并且基于关于多个电子束照射检测单元的位置信息来检查掩模上的图案的配准。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备