[发明专利]测试结构、半导体装置和用于在其中获取制造信息的方法

权利要求书

1.一种在一晶圆上的测试结构，包括：

多个隔离区域；

一主动区域，位在所述隔离区域之间并呈蜿蜒形状架构，其中该主动区域具有两端；

多个栅极，位在该主动区域与所述隔离区域其中之一结合的边界处并且沿着所述边界，使得所述多个栅极呈蜿蜒形状架构，其中所述多个栅极中的每一个与该主动区域和所述多个隔离区域其中之一耦接；

一第一金属元件，电性地耦接到所述栅极其中之一；以及

多个第二金属元件，分别位在该主动区域的两端处，并且至少两个第二金属元件电性地耦接到该主动区域。

2.如权利要求1所述的在一晶圆上的测试结构，还包括多个栅极间隙子，所述栅极间隙子是位在所述栅极的侧壁上。

3.如权利要求1所述的在一晶圆上的测试结构，还包括一掺杂区域，该掺杂区域位在该主动区域内。

4.如权利要求1所述的在一晶圆上的测试结构，其中该第一金属元件是位在所述栅极的延伸部位上。

5.如权利要求4所述的在一晶圆上的测试结构，还包括多个栅极介电质，所述栅极介电质是分别位在各该栅极与该晶圆之间。

6.如权利要求1所述的在一晶圆上的测试结构，其中该第二金属元件是位在该主动区域未设置有所述栅极处之上。

7.一种半导体装置，包括：

一晶圆，具有多个元件区域以及至少一切割线，该至少一切割线是分割所述元件区域；

一测试结构，位在该切割线中，该测试结构包括：

多个隔离区域，位在该晶圆内，以界定出呈蜿蜒形状架构的一主动区域；

多个栅极，位在该主动区域与所述多个隔离区域其中之一结合的边界处并且沿着所述边界，使得所述多个栅极呈蜿蜒形状架构，其中所述多个栅极中的每一个与该主动区域和所述多个隔离区域其中之一耦接；以及

多个栅极介电质，位在所述栅极与该晶圆之间。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该测试结构还包括多个栅极间隙子，所述栅极间隙子是位在所述栅极的侧壁上。

9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括一掺杂区域，该掺杂区域是位在该主动区域中。

10.如权利要求7所述的半导体装置，还包括至少一半导体元件，该至少一半导体元件是位在所述元件区域的其中之一中，其中该测试结构具有与该半导体元件的一结构相关的至少一物理特性。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其中该测试结构还包括：

多个第一金属元件，是电性地耦接到所述栅极；以及

多个第二金属元件，是电性地耦接到该主动区域。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一金属元件是位在所述栅极的延伸部分上。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述延伸部分是位在所述隔离区域上。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述延伸部分是位在该测试结构由其上所视的两端处。

15.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二金属元件是位在该主动区域未设置有所述栅极处的两端处。

16.一种用于在一半导体装置中获取制造信息的方法，包括：

在一晶圆的一切割线上形成多个隔离区域，以界定出呈蜿蜒形状架构的一主动区域；

在该晶圆上形成多个栅极与栅极介电质，其中各该栅极是重叠在该主动区域的一些部分上，且所述栅极介电质是位在所述栅极与该晶圆之间；

测量所述栅极的一第一阻抗；以及

依据该第一阻抗以测定是否该栅极具有一桥接缺点。