[发明专利]一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法

说明书

本发明涉及半导体清洗技术，尤其涉及一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法，包括如下步骤：在距离出水口5cm‑20cm、流速0.1ml/min‑0.8ml/min的纯水出水口下，通过海绵刷分别刷洗晶片正反面1min‑5min；丙酮没过晶片放入超声仪中进行超声清洗1min‑8min；倒出丙酮，加入纯水没过所述晶片后倒出；重复所述步骤“加入纯水没过所述晶片后倒出”3遍；纯水没过所述晶片放入超声仪进行超声清洗1min‑8min；将所述晶片放入甩干机甩干。本发明采用单片式流体冲刷的清洗方法快速有效的去除SiC晶片正反面颗粒团聚，提高了SiC晶片的清洗效率及清洗质量。

技术领域

本发明涉及半导体清洗技术，尤其涉及一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法。

背景技术

随着第三代半导体制程的不断发展，SiC晶片清洗技术也在逐步完善。晶片在研磨、抛光、外延等工艺过程中，难以避免的受到环境、人员、设备、工具等影响而引入污染物。其中，污染物可大致分类为颗粒、有机物、金属污染物、氧化层。

在半导体晶片的制造过程中，特别是外延生长过程前后，如晶片表面有污染物残留，会直接导致外延片失效，或者器件加工失效，因此在晶片进行外延前，为避免污染物的影响必须对晶片进行清洗。半导体晶片清洗方法有湿法清洗、干法清洗及干湿结合清洗，其中又以湿法清洗为主流清洗方法。

颗粒附着的方式分为静电力吸附及范德华力作用，而团聚颗粒主要来源于晶圆的研磨、抛光及检测过程，尤其是研磨、抛光过程因环境的控制不佳、人员操作不完善、研磨抛光液残留等因素的影响，晶片表面会附着大量的颗粒。团聚颗粒多为范德华力作用，其作用力较强，传统的RCA清洗法及稀释化学法需要使用大量的化学药剂长时间浸泡，其清洗过程复杂繁琐，清洗效率低下，降低外延晶片的产出效益，而且清洗过后晶片正反面的团聚颗粒通常难以得到有效的去除。

发明内容

本发明提供了一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法，采用单片式流体冲刷的清洗方法快速有效的去除SiC晶片正反面颗粒团聚，提高了SiC晶片的清洗效率及清洗质量。

为了解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案为：

一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法，包括如下步骤：

在距离出水口5cm-20cm、流速为0.1ml/min-0.8ml/min的纯水出水口下，通过海绵刷分别刷洗晶片正反面1min-5min；

丙酮没过晶片放入超声仪中进行超声清洗1min-8min；

倒出丙酮，加入纯水没过所述晶片后倒出；

重复所述步骤“倒出丙酮，加入纯水没过所述晶片后倒出”3遍；

纯水没过所述晶片放入超声仪进行超声清洗1min-8min；

将所述晶片放入甩干机甩干。

优选地，所述步骤“丙酮没过晶片放入超声仪中进行超声清洗1min-8min”具体包括如下步骤：

将所述晶片放入石英提篮后放入烧杯；

倒入丙酮没过所述晶片，将所述烧杯放入超声仪，在所述超声仪中加入超过所述烧杯三分之一高度的水；

进行超声清洗1min-8min。

优选地，所述海绵刷包括：长柄，可拆卸地设置在所述长柄一端的海绵头。

优选地，所述海绵头呈圆柱体型，所述海绵头的直径为18mm-22mm，厚度为8mm-12mm，所述长柄的长度为10cm-14cm。