[发明专利]一种低成本BMS主动均衡电池电量电路

权利要求书

1.一种低成本BMS主动均衡电池电量电路，其特征在于，包括主控芯片MCU-CTL、DC-DC恒流源、24组一级均衡控制电路及4组二级均衡控制电路，其中，所述主控芯片MCU-CTL依次与24组所述一级均衡控制电路及4组所述二级均衡控制电路连接，24组所述一级均衡控制电路与4组所述二级均衡控制电路连接，4组所述二级均衡控制电路与所述DC-DC恒流源连接，所述DC-DC恒流源与24组所述一级均衡控制电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种低成本BMS主动均衡电池电量电路，其特征在于，所述一级均衡控制电路包括信号脚IBCA0、信号脚IBCA7、信号脚IBCA8、信号脚AB CTL8、信号脚CC-2、信号脚CC+2、电池BT8、MOS管Q1A、MOS管Q1B、MOS管Q2A、MOS管Q2B、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管Z1、二极管Z2及三极管N1。

3.根据权利要求2所述的一种低成本BMS主动均衡电池电量电路，其特征在于，所述电池BT8的正极依次与所述信号脚IBCA8及所述MOS管Q1A的源极连接，所述MOS管Q1A的栅极依次与所述电阻R1的一端、所述二极管Z1的正极、所述MOS管Q1B的栅极及所述电阻R3的一端连接，所述MOS管Q1A的漏极依次与所述电阻R1的另一端、所述二极管Z1的负极及所述MOS管Q1B的漏极连接，所述MOS管Q1B的源极与所述信号脚CC+2连接，所述电阻R3的另一端与所述三极管N1的集电极及所述电阻R4的一端连接，所述三极管N1的基极依次与所述电阻R5的一端及所述电阻R6的一端连接，所述三极管N1的发射极依次与所述信号脚IBCA0及所述电阻R6的另一端连接，所述电阻R5的另一端与所述信号脚AB CTL8连接，所述信号脚AB CTL8与所述主控芯片MCU-CTL连接，所述电阻R4的另一端依次与所述MOS管Q2B的栅极、所述电阻R2的一端、所述二极管Z2的正极及所述MOS管Q2A的栅极连接，所述MOS管Q2B的源极与所述信号脚CC-2连接，所述MOS管Q2B的漏极依次与所述电阻R2的另一端、所述二极管Z2的负极及所述MOS管Q2A的漏极连接，所述MOS管Q2A的源极依次与所述信号脚IBCA7及所述电池BT8的负极连接。

4.根据权利要求3所述的一种低成本BMS主动均衡电池电量电路，其特征在于，所述二级均衡控制电路包括MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、光耦U3、信号脚CC-3、信号脚CC+3、信号脚CC-、信号脚CC+、信号脚AB SEL2、二极管Z3及二极管Z4。

5.根据权利要求4所述的一种低成本BMS主动均衡电池电量电路，其特征在于，所述信号脚AB SEL2的一端与所述主控芯片MCU-CTL连接，所述信号脚AB SEL2的另一端通过所述电阻R11与所述光耦U3的第二端连接，所述VCC的第一端与电压VCC连接，所述光耦U3的第三端与所述信号脚IBCA0连接，所述光耦U3的第四端依次与所述电阻R7的一端及所述电阻R8的一端连接，所述电阻R7的另一端依次与所述MOS管Q5的栅极、所述MOS管Q6的栅极、所述电阻R9的一端及所述二极管Z4的正极连接，所述MOS管Q5的源极与所述信号脚CC-3连接，且所述信号脚CC-3与所述信号脚CC-2连接，所述MOS管Q5的漏极依次与所述二极管Z4的负极、所述电阻R9的另一端及所述MOS管Q6的漏极连接，所述MOS管Q6的源极通过所述信号脚CC-与所述DC-DC恒流源连接，所述电阻R8的另一端依次与所述MOS管Q3的栅极、所述MOS管Q4的栅极、所述电阻R10的一端及所述二极管Z3的正极连接，所述MOS管Q3的源极与所述信号脚CC+3连接，且所述信号脚CC+3与所述信号脚CC+2连接，所述MOS管Q3的漏极依次与所述二极管Z3的负极、所述电阻R10的另一端及所述MOS管Q4的漏极连接，所述MOS管Q46的源极通过所述信号脚CC+与所述DC-DC恒流源连接。

6.根据权利要求5所述的一种低成本BMS主动均衡电池电量电路，其特征在于，所述二极管Z1与所述二极管Z2、所述二极管Z3及所述二极管Z4均为稳压二极管。