[发明专利]片状晶粒薄水铝石及其制备方法

权利要求书

1.一种片状晶粒薄水铝石，其晶粒的D₍₂₀₀₎/D₍₀₀₂₎＝0.5～1.5，D₍₀₂₀₎/l＝0.05～0.6，其中l＝1/2[D₍₂₀₀₎²+D₍₀₀₂₎²]^1/2，所述D₍₀₂₀₎、D₍₂₀₀₎和D₍₀₀₂₎分别为根据薄水铝石的X射线衍射曲线中沿(020)晶面、(200)晶面和(002)晶面方向衍射峰的半峰宽，由Sherrer公式计算的晶粒尺寸。

2.按照权利要求1所述的薄水铝石，其特征在于所述薄水铝石晶粒的D₍₂₀₀₎/D₍₀₀₂₎＝0.7～1，D₍₀₂₀₎/l＝0.2～0.5。

3.按照权利要求1或2所述的薄水铝石，其特征在于薄水铝石晶粒的D₍₂₀₀₎为10～15nm，D₍₀₀₂₎为14～26nm，D₍₀₂₀₎为1.5～8nm。

4.一种权利要求1所述薄水铝石的制备方法，包括在烷氧基铝水解后所得的氢氧化铝浆液中加入晶粒结构调控剂，于60～260℃静置老化0.5～72小时，然后干燥，所述晶粒结构调控剂为羟基羧酸和一元醇，羟基羧酸与一元醇的质量比为0.3～7，羟基羧酸与氢氧化铝浆液中所含铝的摩尔比为0.005～0.5，所述一元醇为C₂～C₈的一元醇。

5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于所述羟基羧酸的碳原子数为3～5个，羟基数为1～3个，羧基数为1～3个。

6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于所述羟基羧酸为羟基丙酸、2-羟基丁二酸、2，3-二羟基丁二酸和3-羟基-1,3,5戊三酸中的一种或几种。

7.按照权利要求4所述的方法，其特征在于所述一元醇为C₂～C₆的一元醇。

8.按照权利要求4所述的方法，其特征在于氢氧化铝浆液老化的温度为100～220℃，老化时间为2～24小时。

9.按照权利要求4所述的方法，其特征在于干燥温度为100～240℃，所述的干燥为烘干、喷雾干燥或闪蒸干燥。

10.按照权利要求9所述的方法，其特征在于采用烘干干燥时，干燥温度为100～150℃，干燥时间为8～24小时。

11.按照权利要求9所述的方法，其特征在于采用喷雾干燥时，喷雾干燥机入口温度为180～230℃，出口温度为80～120℃。

12.按照权利要求4所述的方法，其特征在于烷氧基铝水解温度为60～100℃，时间为0.3～3小时，水与烷氧基铝的摩尔比为3～40。