[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201910991489.6 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN111106033B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 金永珍;柳镇泽;郑富荣;方炳善;吴承勋;崔英骏;禹钟贤 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 玉昌峰;金惠淑 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明的一实施例提供基板处理装置及基板处理方法,基板处理方法包括以下步骤:向基板表面供给高表面张力液体而形成高表面张力液膜;向形成有所述高表面张力液膜的基板的中心区域供给低表面张力液体,从而将所述高表面张力液膜替换成所述低表面张力液体;以及在供给所述低表面张力液体的步骤中至少一部分时间区期间,追加供给所述高表面张力液体。
技术领域
本发明涉及能够有效干燥清洗后的基板的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
为了在进行通过药液的药液处理及通过去离子水(DIW)等冲洗液的冲洗处理之后,将附着在基板表面的冲洗液去除,提出有许多干燥方法。
作为其中之一,公知有使用含有表面张力比去离子水小的IPA(Isopropylalcohol;异丙醇)等有机溶剂成分的低表面张力液体的干燥方法。
例如,在专利文献1中公开有以下方法:将DIW(De-ionized water;去离子水)用IPA替换时,在以比较小的RPM旋转的基板保持DIW液膜之后,将IPA向基板的中心区域喷出。
但是,这种方法会产生局部性替换的区间例如空域(Finger),而IPA替换区域从被喷射IPA的基板的中心区域向外径方向不均匀扩大。若在该状态下,就那么进行基板的干燥,则有在上述的区间产生颗粒的担忧。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:韩国授权专利10-0935977
发明内容
本发明提供一种能够将DIW稳定地用IPA替换的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的目的不限于前述,未提及的本发明的其它目的及优点可以通过以下的说明得到理解。
本发明的实施例的基板处理方法可以包括以下步骤:向基板表面供给高表面张力液体而形成高表面张力液膜;向形成有所述高表面张力液膜的基板的中心区域供给低表面张力液体,从而将所述高表面张力液膜替换成所述低表面张力液体;以及在供给所述低表面张力液体的步骤中至少一部分时间区期间,追加供给所述高表面张力液体。
另外,本发明的实施例的基板处理装置可以包括:腔室;旋转卡盘,在所述腔室内设置成能够旋转,并支承基板;DIW喷嘴臂,设置于所述旋转卡盘的一侧,并具备向基板表面喷射去离子水的DIW喷射嘴;以及IPA喷嘴臂,设置于所述旋转卡盘的一侧,并具备向基板表面喷射异丙醇的IPA喷射嘴。
另外,本发明的实施例的基板处理装置可以包括:腔室;旋转卡盘,在所述腔室内设置成能够旋转,并支承基板;以及喷嘴臂,设置于所述旋转卡盘的一侧,并具备向基板表面喷射去离子水的DIW喷射嘴及向基板表面喷射异丙醇的IPA喷射嘴,所述DIW喷射嘴包括:第一DIW喷嘴,向基板的中心区域喷射去离子水;以及第二DIW喷嘴,向基板的中间区域喷射去离子水。
根据本发明的实施例,在低表面张力液体(IPA)供给到形成有高表面张力液膜(DIW)的基板表面而将DIW替换成IPA的区域的外侧,从DIW喷射嘴追加喷射DIW。由此,在向基板的中央喷射IPA而将DIW替换成IPA时,基板的IPA替换区域从中心区域向半径方向均匀扩大,从而使得能够稳定地进行干燥工艺。
应当理解,本发明的效果不限于以上所述的效果,而是包括从本发明的详细说明或权利要求书中所记载的发明的构成能够推出的所有效果。
附图说明
图1是示出本发明的实施例的基板处理方法的流程图。
图2是简要示出本发明的第一实施例的基板处理装置的横截面图。
图3是示出本发明的第一实施例的基板处理装置的主要部分的立体图。
图4是示出本发明的第一实施例的基板处理装置的一部分的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造