[发明专利]一种新型微波源有效
| 申请号： | 201910991619.6 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110718835B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈海波;杨仁福;陈星;赵环 | 申请（专利权）人： | 北京无线电计量测试研究所 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;H01S1/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 100854 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 微波 | ||
1.一种微波源，其特征在于，包括
半导体激光器、光电调制器、第一光耦合器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、第二光耦合器、谐振腔模块、光探测器、滤波器、定向耦合器；
其中，所述谐振腔模块为高Q值光学谐振腔；
所述高Q值光学谐振腔采用环形波导或盘形波导；
所述高Q值光学谐振腔的H模和E模的振荡频率的间隔为8-40GHz，且H模和E模的振荡频率相同；
所述半导体激光器、所述光电调制器和所述第一光耦合器沿着光路依次连接；
所述第一光耦合器的一个输出端连接所述第一偏振控制器的输入端；
所述第一光耦合器的另一个输出端连接所述第二偏振控制器的输入端；
所述第一偏振控制器的输出端连接所述第二光耦合器的一个输入端；
所述第二偏振控制器的输出端连接所述第二光耦合器的另一个输入端；
所述第二光耦合器、所述谐振腔模块、光探测器、滤波器和定向耦合器依次连接；
所述定向耦合器与所述光电调制器连接。
2.根据权利要求1所述的微波源，其特征在于，所述微波源还包括信号放大器，所述信号放大器设置在所述滤波器和所述定向耦合器之间，用于放大滤波信号的强度。
3.根据权利要求1所述的微波源，其特征在于，所述滤波器的中心频率与所述H模或E模的振荡频率相同。
4.根据权利要求1所述的微波源，其特征在于，所述半导体激光器为VCSEL激光器或DFB激光器。
5.根据权利要求1所述的微波源，其特征在于，所述半导体激光器为中心波长为850nm、1330nm或1550nm的半导体激光器，所述半导体激光器的线宽小于或等于20MHz。
6.根据权利要求5所述的微波源，其特征在于，所述高Q值光学谐振腔的制作材料为GaAs基材料或InP基材料，
其中，当所述半导体激光器的中心波长为850nm的情况下，所述高Q值光学谐振腔的制作材料为GaAs基材料；
当所述半导体激光器的中心波长为1330nm或1550nm的情况下，所述高Q值光学谐振腔的制作材料为InP基材料。
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