[发明专利]集成电路及其制造方法和设计方法在审
申请号: | 201910992060.9 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN111276479A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 金珉修 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/02;G06F30/392;G06F30/394 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈晓博;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 及其 制造 方法 设计 | ||
提供一种集成电路及其制造方法和设计方法。所述集成电路包括半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中,其中,所述多条栅极线布置在第一方向上并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中,其中,所述多条金属线布置在第一方向上并且在第二方向上延伸。6N条金属线和4N条栅极线形成单元线路结构,其中,N是正整数,并且多个单元线路结构布置在第一方向上。通过单元线路结构增强集成电路的设计效率和性能。
本申请要求于2018年12月5日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2018-0155192号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
示例实施例总体涉及半导体集成电路,更具体地讲,涉及具有单元线路结构的集成电路以及制造和设计该集成电路的方法。
背景技术
具有固定功能的标准单元可用在集成电路的设计中。标准单元具有预定架构并被存储在单元库中。在设计集成电路时,从单元库索取标准单元并将其放置在集成电路布图上的所需位置。然后执行布线以将标准单元彼此连接并与其他单元连接。标准单元具有预定(或设定)架构,例如,单元宽度、单元高度、单元长度等。可以根据标准单元的配置和布图来确定集成电路的设计效率。
发明内容
一些示例实施例可以提供具有适合于设计的线路结构的集成电路以及制造和设计集成电路的方法。
还提供一种集成电路,所述集成电路包括:半导体基底;多条栅极线,形成在半导体基底上方的栅极层中,所述多条栅极线布置在第一方向上并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸;以及多条金属线,形成在栅极层上方的导电层中,所述多条金属线布置在第一方向上并且在第二方向上延伸,其中,所述多条金属线包括6N条金属线,所述多条栅极线包括4N条栅极线,6N条金属线和4N条栅极线形成单元线路结构,N是正整数,并且多个单元线路结构布置在第一方向上。
在集成电路的一些实施例中,N=1,所述多个单元线路结构包括第一单元线路结构和第二单元线路结构,第二单元线路结构在第一方向上与第一单元线路结构相邻,第二单元线路结构的形貌与第一单元线路结构的形貌相同。
在集成电路的一些实施例中,所述多条金属线之中的在第一方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。
在集成电路的一些实施例中,所述多条金属线通过自对准双倍图案化(SADP)或自对准四倍图案化(SAQP)形成。
在集成电路的一些实施例中,所述多条栅极线通过单图案化、SADP或SAQP形成。
在集成电路的一些实施例中,单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的最小单元结构。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构包括六条金属线和四条栅极线。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的六条金属线通过自对准双倍图案化(SADP)形成,并且每个单元线路结构的六条金属线在第一方向上布置成交替地具有第一金属节距和第二金属节距。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的四条栅极线通过单图案化形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在第一方向上布置成具有相等的栅极节距。
通常,在一些实施例中,每个单元线路结构的四条栅极线通过例如SADP形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在第一方向上布置成交替地具有第一栅极节距和第二栅极节距。
通常,在一些实施例中,作为另一示例,每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(SAQP)形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在第一方向上布置成顺序地具有第一栅极节距、第二栅极节距、第一栅极节距和第三栅极节距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的