[发明专利]一种接触孔制备方法有效
| 申请号： | 201910992197.4 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110634801B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;王晓磊;杨红;马雪丽;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 制备 方法 | ||
1.一种接触孔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；
在已形成的结构上沉积接触刻蚀停止层，以及在所述接触刻蚀停止层上沉积层间介质牺牲层；
对所述层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除所述牺牲栅极区后，在栅极区域内依次形成栅极介质层和栅极；
去除接触孔区域外的所述层间介质牺牲层，仅保留接触孔区域内的所述层间介质牺牲层；并在已形成的结构上沉积层间介质层，所述层间介质层为SiO2；
对所述层间介质层，进行第二平坦化处理；并去除所述接触孔区域内的所述层间介质牺牲层和接触刻蚀停止层；
在所述接触孔区域内填充金属层，形成接触孔。
2.根据权利要求1所述的接触孔制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述牺牲栅极区和源漏区前，在所述衬底中形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离位于所述源漏区的外侧。
3.根据权利要求2所述的接触孔制备方法，其特征在于，所述接触刻蚀停止层为：SiN或Si3N4，所述接触刻蚀停止层的层厚为：50至300nm。
4.根据权利要求2所述的接触孔制备方法，其特征在于，所述层间介质牺牲层为碳基材料。
5.根据权利要求2所述的接触孔制备方法，其特征在于，采用光刻和刻蚀工艺去除接触孔区域外的所述层间介质牺牲层。
6.根据权利要求2所述的接触孔制备方法，其特征在于，采用湿法腐蚀去除所述接触孔区域内的所述层间介质牺牲层。
7.根据权利要求2所述的接触孔制备方法，其特征在于，采用N2和H2的等离子体去除所述接触孔区域内的所述层间介质牺牲层；其中，N2和H2的体积比例为：1:5至10:1。
8.根据权利要求2所述的接触孔制备方法，其特征在于，采用湿法腐蚀去除所述接触孔区域内的所述接触刻蚀停止层。
9.根据权利要求8所述的接触孔制备方法，其特征在于，采用H3PO4溶液去除所述接触孔区域内的所述接触刻蚀停止层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
