[发明专利]离子源室及设备

说明书

本发明实施例涉及一种离子源室及设备，离子源室包括：相对的第一电极和第二电极；其中，所述离子源室处于工作状态时，所述第一电极的电位高于所述第二电极的电位；具有第一镂空区的第一侧板，所述第一电极位于所述第一镂空区内，所述第一电极与所述第一侧板绝缘。本发明能够提高离子源室的安全性能，降低维护保养成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种离子源室及设备。

背景技术

利用离子注入机对晶圆进行离子注入的过程中，等离子体束流中断会导致晶圆异常；同时会造成离子注入机的性能造成影响，使得离子注入机的使用周期达不到预期时间，导致设备保养费过高。

现有技术中，主要造成等离子体束流中断的原因之一是：离子注入机的组成设备之一的离子源室内部发生短路。

因此，如何降低离子源室内部短路的几率成了亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种离子源室及设备，能够提高离子源室的安全性能，降低维护成本。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种离子源室，包括：相对的第一电极和第二电极；其中，所述离子源室处于工作状态时，所述第一电极的电位高于所述第二电极的电位；具有镂空区的第一侧板，所述第一电极位于所述镂空区内，所述第一电极与所述第一侧板绝缘。

另外，所述第一电极与所述第一侧板之间具有间隙。

另外，在垂直于所述第一侧板朝向所述第一电极的表面的方向上，所述间隙的宽度范围为0.5mm～2mm。

另外，所述离子源室还包括：固定部；所述固定部用于固定所述第一电极。

另外，在所述第一电极朝向所述第二电极的方向上，所述第一电极的底面凸出于所述第一侧板朝向所述第二电极的侧面；或者，所述第一电极的底面与所述第一侧板平齐。

另外，所述离子源室还包括：底板；在垂直于所述底板的方向上，所述第一电极与所述底板之间的距离为2mm～4mm。

另外，所述离子源室还包括：第二侧板，所述第二侧板与所述第一侧板相对设置，且所述第二电极嵌至所述第二侧板中。

另外，所述第二电极的材料与所述第二侧板的材料相同；所述第二电极与所述第二侧板一体结合。

另外，所述第一电极朝向所述第二电极的侧面为向远离所述第二电极方向弯曲的第一圆弧柱面；所述第二电极朝向所述第一电极的侧面为向远离所述第一电极方向弯曲的第二圆弧柱面；所述第一圆弧柱面与所述第二圆弧柱面的半径相同。

另外，所述第一圆弧柱面与所述第二圆弧柱面为同心圆弧柱面。

另外，所述第一圆弧柱面的半径值为35mm～50mm。

本发明实施例还提供一种设备，所述设备包括上述离子源室。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供一种离子源室，其中第一侧板具有镂空区，且该第一电极位于所述镂空区内，从而避免在工作状态下，第一电极远离第二电极的侧面与第一侧板短路，进而提高离子源室的安全性能，降低维护保养成本。

另外，当间隙的宽度范围为0.5mm～2mm时，既能保证第一侧板与第一电极绝缘，又能保证逸出的气体较少。

另外，第一电极底面凸出或平齐，能够保证在第一电极朝向第二电极的侧面沉积的覆盖物不会脱落至第一侧板的镂空区内，从而保证第一电极与第一侧板的绝缘效果。

另外，第二电极与第二侧板的材料相同，且一体结合，有利于节约物料成本。

附图说明